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liugai:
听君一番话,胜读十年书.下面的讲解都很独到,赞一个.[图片]但这第2贴讲到的功率算法有点问题:开关管导通损耗Pd=Id*Id*Rds(on)*D;兄台好象漏了占空比,这个比较重要.所以其实导通损耗占的比重很小,大部分是开关渡越损耗,那么更换Qg较小的MOS管就显得很有意义了.
2012-11-03 11:24 回复
原帖:【草根大侠】贴 关于MOS管导通内阻和米勒电容(Qgd)差异对效率的影响
liugai:
应该是和环路控制有关,建议用电容调试一下,看是否可用小容值的电容取代。
2012-10-20 19:01 回复
原帖:TL431与1N4148作用
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