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基于上述优点,给用户带来如下好处:若设计与IGBT3工作在相同结温,IGBT4的功率循环周次(PC)提高5倍;IGBT4的工作结温提高25℃,其输出电流能力提高20%;缩小散热器的体积,实现小型化,降低系统成本.

InfineonIGBT4最高结温达到175℃,提高了25℃;1200V的芯片饱和压降是1.7V.另外,IGBT4芯片和其反并联续流二极管芯片,按高、中、低三个功率段的应用特点分别在开关损耗、通态损耗、开关软特性方案(EMI)方面进一步优化.

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