IGBT最新沟槽芯片技术-----Trench 4

对IGBT有兴趣的朋友们来聊聊这个东西?交流一下看法吧!

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LV.1

2008-12-01 16:39

Infineon IGBT4 最高结温达到175℃,提高了25℃;1200V的芯片饱和压降是1.7V.另外,IGBT4芯片和其反并联续流二极管芯片,按高、中、低三个功率段的应用特点分别在开关损耗、通态损耗、开关软特性方案(EMI)方面进一步优化.

lqk420

LV.1

2008-12-01 16:42

基于上述优点,给用户带来如下好处:
若设计与IGBT3工作在相同结温,IGBT4的功率循环周次(PC)提高5倍;
IGBT4的工作结温提高25℃,其输出电流能力提高20%;
缩小散热器的体积,实现小型化,降低系统成本.

lqk420

LV.1

2008-12-01 16:43

有兴趣的可以交流,E-mail:lqk420@163.com QQ:94641898

dgfjlkhjg

LV.4

2009-07-12 05:04

@lqk420

InfineonIGBT4最高结温达到175℃,提高了25℃;1200V的芯片饱和压降是1.7V.另外,IGBT4芯片和其反并联续流二极管芯片,按高、中、低三个功率段的应用特点分别在开关损耗、通态损耗、开关软特性方案(EMI)方面进一步优化.

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