不错,电流是电子能量的传递,就像多米诺效应一样.电子本身的振动是很微小的,但一旦有电场存在,电子就朝着电场相反的方向传递能量,速度就是电场的速度,也就是光速.

1.MOSFET是电压型驱动器件,输入阻抗很大,驱动电流很小.2.EMI滤波电感并不是线径越大损耗越小,它有个最优线径,以及如何绕制的,最好不要叠绕,此外磁心的材质是否选用合理也是损耗较大的因素之一.

电场的建立,另外如果是电子的流动,电流建立起来不会那么迅速.

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不同于厂商的磁损计算公式,由于他们提供的是基于正弦波激励的损耗公式,因此需要做等效频率的计算在先.此外,还要留出一次幂的开关频率出来,剩下的按等效频率来计算.

一般厂商会提供计算铁损的计算公式,铜损部分需要自己计算.铜损主要是DC和AC损耗,中间要用到Dowell公式计算AC电阻.

请问为什么既要提高频率又要提高Br?一般在软磁材料中,为了减小体积尺寸,提高对外加磁场的反应能力,要求Br要小,你为什么要提高它?有什么应用上的考虑吗?

shixiaemail@163.comthanksalot!!!

AnsoftEMTHANKS!!!

我想了解AnsoftEM软件的使用说明，谢谢！！！