肖特基二极管的损坏，你提到的两个因素（热击穿、反向耐压不足）确实比较厂家。以SR5100，5A,100V肖特基二极管为例，部分厂家在设计的时候，留的余量非常小。如果选用SR5150，则VF又太高。很矛盾的问题。对于热击穿，每个二极管厂家的水平是不同的。比如某些适配器，本身散热就是这样子的，如果选用了不合格或者设计不好的肖特基二极管，就很容易出现一定比例的不良，这在是老化过程中可以发现。以2A,5V充电器常用的SP10U45L,10A,45V，低正向肖特基二极管为例。有的二极管制造商一味压低成本，采用质量等级差的芯片，虽然VF可以控制在0.5V@IF=10A，但漏电流非常大，在老化过程中很容易造成热击穿。如果仅仅去责怪二极管供应商不好，那也是不对，谁让你选这么不靠谱的产品呢？对于ESD，在高反压肖特基产品上尤其要注意，即使有的时候HBM能达到8KV，但MM不一定能通过2KV。而恰恰是这个小小的区别，是很多不良产生的因素。对于太阳能二极管（BYPASSDIODE)，对ESD的要求就更高了。除此之外，二极管制造过程中烧结温度的控制、溢锡管控、参数设计平衡、芯片制造、生产过程管控等，均可能影响二极管的品质。所以，一旦遇到损坏，要结合不良现象，将原物料失效和终端产品设计结合起来考虑。 

高反压的肖特基，是能够测到反向恢复时间的。我们曾经做过测试，200V的肖特基，RG1模式下，不到30nS。反压越高，Trr越大。

要确认你所需要的超快恢复二极管的正向压降是多少，产品的封装是怎样的。有几款可供参考：MUR860,8A,600V,用于PFC线路，Trr

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TO-220:上面带散热片ITO-220:上面绝缘以上封装多见于功率二极管,如肖特基整流二极管、快恢复二极管、MOSFET等更多情况,请发送邮件zwg@jinghenggroup.com咨询

从肖特基二极管本身来讲,你所说的问题一般有以下价格常见原因:1:二极管本身正向压降和反向漏电流过高,20A,100V的管子,规格书一般标称0.85v@20A,IR一般在几个微安左右2:产品封装问题:  A:所采用的环氧树脂级别不够,导致散热性差.轴向二极管和TO-220/ITO-220的产品所采用的树脂是绝对不一样的.有的公司为了降低成本,采用便宜的,自然就会存在隐患.就是采用同一种树脂,有的二极管工厂,由于注塑温度、压力、环境洁净度等问题,做出来的产品还是有很大区别.比如常见的管体内部可能存在包封分层现象,就会使二极管在老化过程中出现稳升高的现象.  B:生产问题:有的公司芯片摆放采用手工方式,而这种方式带来的问题是定位不准,芯片被夹伤,虚焊等隐患.芯片粘片、压焊的生产环境控制,特别是温湿度控制,都是决定二极管品质的因素.沾污在很多时候是高温状态下漏电急剧升高的诱因3:芯片  芯片当然是最关键的因素了,一般的规格书标称125度或150度,是由芯片本身的势垒金属、制程决定的.芯片面积小、结温低的芯片,自然就会差一些4:二极管并联使用  如果两颗管子一致性差,会造成那颗品质差一些的管子负载过重,发热甚至坏掉.  所以,针对你的问题,可以选用好一些的管子,或是可以考虑用一颗40A,100V的管子替代.