MOSFE和IGBT的驱动电阻的大小选择主要是考虑开通和关断时的VDS和IDS上升和下降时间，在最大的dV/dt允许的情况下，尽量选择小的驱动电阻可以加快开通速度，减少损耗，由于MOSFET和IGBT的G极内阻很小，一般要加个驱动电阻，更加细致的设计需要将开通和关断电阻分开设计，以使开通和关断速度都做到最大，同时不会损坏管子，可以去算下开关时间。dv/dt做到20V/ns基本上是现在许多管子的极限。

TOP设计简单,3842控制环设计麻烦点.

你们有什么合作项目,我在从事重庆科委LED驱动电源研发任务.

我看电路有问题,不能直接接在这里.

老大是个大好人啊，不知你有没有用cadence和ansoft联合仿真？

上面的老兄讲的好啊,不过各位问问题要尊重下人家,不要随便啥都问.

我装上了，谢谢了。

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麻烦你传下安装文件吧，要不发我EMAIL吧

发个1.0的就可以啊，谢谢了。