关于IGBT/MOSFET驱动峰值电流的问题

小弟请教有经验的前辈，要使IGBT/MOSFET能快速开关，必须提供足够的驱动峰值电流，一般驱动芯片（VCC=15V）的输出都接了10欧左右的限流电阻，如果驱动大功率的IGBT（需要3~4A驱动峰值电流），这个限流电阻可否省略？请各位不吝赐教！

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gz.daheng

LV.8

2010-01-30 18:07

我是新手！

回答点仅供参考。（有错误引起想笑的请去没人的地方）

回答：只能是阻值大小选择，最好别省去。（详细请参考有关厂家资料）

RG阻值正规的生产厂在IGBT资料都有详细说明，当然，具体阻值最好在电路构件调整中稍加修正。

我是技术宅

LV.3

2010-01-30 20:12

@gz.daheng

我是新手！回答点仅供参考。（有错误引起想笑的请去没人的地方）回答：只能是阻值大小选择，最好别省去。（详细请参考有关厂家资料）RG阻值正规的生产厂在IGBT资料都有详细说明，当然，具体阻值最好在电路构件调整中稍加修正。

加驱动电阻的目的是为了保护被驱动的管子,防止大的电流损伤管子.同时,利用限流电阻还可以控制管子的开启时间.

kuernikewa

LV.3

2010-01-31 09:57

@我是技术宅

加驱动电阻的目的是为了保护被驱动的管子,防止大的电流损伤管子.同时,利用限流电阻还可以控制管子的开启时间.

谢谢各位，再请教一个问题，如果驱动峰值电流达到4A的话，那么限流电阻是不是要用大功率电阻啊？

hardisli

LV.2

2010-01-31 17:12

MOSFE和IGBT的驱动电阻的大小选择主要是考虑开通和关断时的VDS和IDS上升和下降时间，在最大的dV/dt允许的情况下，尽量选择小的驱动电阻可以加快开通速度，减少损耗，由于MOSFET和IGBT的G极内阻很小，一般要加个驱动电阻，更加细致的设计需要将开通和关断电阻分开设计，以使开通和关断速度都做到最大，同时不会损坏管子，可以去算下开关时间。dv/dt做到20V/ns基本上是现在许多管子的极限。

kuernikewa

LV.3

2010-01-31 18:48

@hardisli

从该MOSFET的PDF文档上看，它的导通电阻为18毫欧，外接1欧的限流电阻也行，如果用10V电压驱动的话，那么驱动峰值电流可以达到10A，下面是MOSFET的开关特性参数，请各位帮小弟看看。如果驱动芯片的输出电压为12V，输出峰值电流上限为4A的话，限流电阻取3欧应该可以吧？但是问题是电阻的功率怎么选择，有没有经验值可供参考呢？请各位大虾帮忙指点一下！

（点击放大）

kuernikewa

LV.3

2010-02-03 10:55

@kuernikewa

[图片]从该MOSFET的PDF文档上看，它的导通电阻为18毫欧，外接1欧的限流电阻也行，如果用10V电压驱动的话，那么驱动峰值电流可以达到10A，下面是MOSFET的开关特性参数，请各位帮小弟看看。如果驱动芯片的输出电压为12V，输出峰值电流上限为4A的话，限流电阻取3欧应该可以吧？但是问题是电阻的功率怎么选择，有没有经验值可供参考呢？请各位大虾帮忙指点一下！[图片] （点击放大）

小弟初学，请各位大虾帮忙看看吧！

liuxing925

LV.6

2010-02-03 15:00

@kuernikewa

小弟初学，请各位大虾帮忙看看吧！

一般选择至少2W以上的金属膜电阻，使用多的是3W的电阻。驱动电阻要求耐冲击电流，寄生电感小。

gz.daheng

LV.8

2010-02-03 15:12

@liuxing925

一般选择至少2W以上的金属膜电阻，使用多的是3W的电阻。驱动电阻要求耐冲击电流，寄生电感小。

还有最好几只并联.

LV.1

2010-02-04 11:10

@gz.daheng

还有最好几只并联.

对，并联可以减小电感。

同时栅极电阻可以将功率耗散从驱动管转移到自己。

kuernikewa

LV.3

2010-02-24 22:53

对，并联可以减小电感。同时栅极电阻可以将功率耗散从驱动管转移到自己。

谢谢各位指点！

hvic

LV.4

2010-02-25 12:12

@liuxing925

一般选择至少2W以上的金属膜电阻，使用多的是3W的电阻。驱动电阻要求耐冲击电流，寄生电感小。

太夸张了吧，电流只是峰值而已，就是一瞬间有这么大的电流，电阻也有短脉冲时功率参数，比如0.25W的电阻，短脉冲时能耐好几瓦，

有条件查查你用的电阻的数据手册。

还有一个要注意，驱动芯片本身输出也是有内阻的。

braverider

LV.4

2010-02-25 19:36

@liuxing925

一般选择至少2W以上的金属膜电阻，使用多的是3W的电阻。驱动电阻要求耐冲击电流，寄生电感小。

门极电阻不需要这么大的功率，因为只有触发瞬间的峰值电流很大，一般用125mW的普通电阻就可以了。

同时这个电阻是为了防止由于杂散参数引起的振荡，从而损坏开关管。

通过这个电阻可以控制开关管的开通和截止时间。公式为 ton=2.2RgCiss. Ciss:MOSFET的输入电容(pF). Rg:门极电阻。