这计算的是门极最大驱动电流,对一个MOSFET来说,只有导通瞬间会达到最大电流,所以对于门极电阻来说,只有一个和PWM频率相同的脉冲串通过门极电阻.因此门极电阻的功率不需要很大.一般0805的贴片电阻即可.

我也不知道，技术交流把知识弄明白就行了，分不重要。你这个帖子挺有意思的，我把它和我的同事交流了一下，好多人都答不出来。尤其是运放的虚短和虚断的条件（只有运放在深度负反馈时虚短和虚断才成立，你这个电路通过电容开路了反馈，所以对直流信号是没有了反馈）。

积分电路是对幅值有变化信号才起作用,因为电容只有在有频率信号时才能体现它的阻抗特性z=1/(2*pi*f*C).对于你这个电路,你只给出了直流信号,因此电容是开路的,所以说输出信号为运放的开环增益乘以输入电压差.对于理想的运放,开环增益为无穷大,因此输出就是运放的电源电压减去运放的饱和压降,一般为三极管的Vce.

电阻的功率的确和电阻的体积成正比的,功率越大,体积越大.电阻的功率是根据公式P=i*i*R确定的,相同功率的10k和100k的电阻,它们的额定电流是不同的.

这种方式应该是可以的，电容一定小不了，电容的大小要考虑开关管的门极电荷的大小。不过有个问题要注意，开关管的开关频率不能太高，不然自举电容来不及充电，对自举电容本身的要求也比较高，要ESR小，一般为胆电容。不过这么大的峰值驱动电流一般不应用自举驱动。

从波形上看，是开关管的导通和截止的时间太长,一般和下面的因素有关:1.驱动电路的驱动能力,2.门极电阻选得大了.

应用到串口驱动,什么串口,RS485还是RS232?应用到串口的什么部分?最好有个图

温度的积累是需要时间的

1、把R2去掉  2、把R16，C12改为2K，100n试试。