chris.yue.vista：
当高压侧电压缓慢地往上升时可以清楚地看见毛刺越来越严重，电压很低时管子发热严重，芯片很容易烧掉。这些问题都是由于2110自身的一些不足产生的，IR2110不能产生负偏压，如果用于驱动桥式电路，在半桥电感负载电路下运行，处于关断状态下的IGBT，由于其反并联二极管的恢复过程，将承受C-E电压的急剧上升。此静态的dv／dt通常比IGBT关断时的上升率高。由于密勒效应，此dv／dt在集电极，栅极问电容内产生电流，流向栅极驱动电路，如图3所示。虽然在关断状态时栅极电压Vg为零，由于栅极电路的阻抗(栅极限流电阻Rg，引线电感Lg)，该电流令VGE增加，趋向于VGE(th)。最严重的情况是该电压达到阈值电压，使IGBT导通，导致桥臂短路。IR2110驱动输出阻抗不够小，沿栅极的灌人电流会在驱动电压上加上比较严重的毛刺干扰。http://www.21ic.com/app/analog/200904/41548.htm