谢谢各位的建议1、目前的Duty大约在26%，为了防止次谐波震荡，我的Dmax=0.45，以上波形并非低压满载的情况2、RCD是配合漏感去设计的，RCD的R取值不大，为了尽量降低损耗R=40K左右，所以VDS看不到明显的SPIKE,C=10nF3、输出Diode应为是DCM所以暂时没加snubber因为开始怀疑是Cp的影响所以没敢用三明治绕法，现在看起来变压器随便绕也不应该出现这么大的分布电容，我今天再仔细查查什么原因

谢谢5楼的朋友，加磁珠可以去试一下，因为这个电流尖峰只是瞬间的放电，是不受驱动控制的，FET也是集成的没有办法去改变我的Np绕组共有五层，我每层都加了2圈tape，只是改善了一些，没有根本上解决问题

电阻用的是0.51OHM的普通碳膜电阻，几nH的寄生电感有影响但是不会引起这么大的spikeRCD的电阻我用的比较小，所以关断时看不到明显的VDS尖峰Cp从DCM震荡波形来看大约在几十nF,比较大，我也尝试过了初级绕组分开绕，一半绕在内层，一半绕在最外层但是效果还是不明显

期待高手现身出来解决这个困扰，顶起来！