大家过来看看如何解决：Flyback 原边电流前沿尖峰很大

最近用一颗集成了高压FET的PWM IC做了一个30W左右的辅助电源，Flyback DC-DC,峰值电流模式

问题：调试时IC较烫，很容易跑到不可接受的温度，测试发现FET的电流前沿尖峰很大，虽然IC具有

电流前沿消影功能，但是这个尖峰带来了巨大的开关损耗，导致IC发热

原因：分析和仿真发现Flyback变压器的原边分布电容Cp是引发FET电流前沿尖峰的主要原因

我尝试了许多绕线工艺已减小变压器分布电容Cp,但是效果不明显，各位网友帮我看看有什么好的

对策没有, 波形见附件

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power_delivery

LV.1

2010-03-16 22:03

期待高手现身出来解决这个困扰，顶起来！

deep_thought

LV.7

2010-03-17 08:20

@power_delivery

期待高手现身出来解决这个困扰，顶起来！

你的电流取样电阻是有感的, 最好用无感; 有感电阻会影响效率, 最好用电流探头观察电流波形.

看起来FET的关断很慢啊, 甚至看不到漏感引起来的尖峰电压.

DUTY可能有点偏小.

Cp的大小可以由波形后面的自由振荡频率和初级电感算出来, 一般几十PF是正常的, 初级分段绕可以减少Cp.

power_delivery

LV.1

2010-03-17 08:28

@deep_thought

你的电流取样电阻是有感的,最好用无感;有感电阻会影响效率,最好用电流探头观察电流波形.看起来FET的关断很慢啊,甚至看不到漏感引起来的尖峰电压.DUTY可能有点偏小.Cp的大小可以由波形后面的自由振荡频率和初级电感算出来,一般几十PF是正常的,初级分段绕可以减少Cp.

电阻用的是0.51 OHM的普通碳膜电阻，几nH的寄生电感有影响但是不会引起这么大的spike

RCD的电阻我用的比较小，所以关断时看不到明显的VDS尖峰

Cp从DCM震荡波形来看大约在几十nF,比较大，我也尝试过了初级绕组分开绕，一半绕在内层，一半绕在最外层

但是效果还是不明显

心中有冰

2010-03-17 09:55

@power_delivery

电阻用的是0.51OHM的普通碳膜电阻，几nH的寄生电感有影响但是不会引起这么大的spikeRCD的电阻我用的比较小，所以关断时看不到明显的VDS尖峰Cp从DCM震荡波形来看大约在几十nF,比较大，我也尝试过了初级绕组分开绕，一半绕在内层，一半绕在最外层但是效果还是不明显

你可以尝试在变压器到MOS的D极加个磁珠，适当增加MOS管的G极驱动电阻来抑制这个电流尖峰

如果想减少变压器的层间电容，则可以增加每层之间的Tape层数

power_delivery

LV.1

2010-03-17 11:04

@心中有冰

你可以尝试在变压器到MOS的D极加个磁珠，适当增加MOS管的G极驱动电阻来抑制这个电流尖峰如果想减少变压器的层间电容，则可以增加每层之间的Tape层数

谢谢5楼的朋友，加磁珠可以去试一下，因为这个电流尖峰只是瞬间的放电，

是不受驱动控制的，FET也是集成的没有办法去改变

我的Np绕组共有五层，我每层都加了2圈tape，只是改善了一些，没有根本

上解决问题

Rookie

LV.2

2010-03-17 12:44

本人不是高手只是碰到过类似的波形，也是mosfet温度过高，后来改变了初次匝数比，使得duty cycle增加，问题就解决了建议试试看，你的占空比明显很小

deep_thought

LV.7

2010-03-18 08:09

@power_delivery

电阻用的是0.51OHM的普通碳膜电阻，几nH的寄生电感有影响但是不会引起这么大的spikeRCD的电阻我用的比较小，所以关断时看不到明显的VDS尖峰Cp从DCM震荡波形来看大约在几十nF,比较大，我也尝试过了初级绕组分开绕，一半绕在内层，一半绕在最外层但是效果还是不明显

如果算出来Cp有几十nF, 那就不是比较大了, 是巨大! 那肯定不时变压器产生的. 检查是否有电容直接或间接并在初级,次级,辅助绕组上. 次级整流管吸收电路电容是不是很大?

powercheng

LV.9

2010-03-18 09:54

1.占空比偏小，再算算变压器看看。

2.漏极加磁珠

3.变压器什么绕法？是否三明治？

4.MOSFET上SNUBBER是RCD吗？取值分别多少？R几个欧姆就好了。电容也不要太大。

5.输出整流二极管有吸收电路么？

power_delivery

LV.1

2010-03-18 10:16

@powercheng

1.占空比偏小，再算算变压器看看。2.漏极加磁珠3.变压器什么绕法？是否三明治？4.MOSFET上SNUBBER是RCD吗？取值分别多少？R几个欧姆就好了。电容也不要太大。5.输出整流二极管有吸收电路么？

谢谢各位的建议

1、目前的Duty大约在26%，为了防止次谐波震荡，我的Dmax=0.45，以上波形并非低压满载的情况

2、RCD是配合漏感去设计的，RCD的R取值不大，为了尽量降低损耗R=40K左右，所以VDS看不到明显的SPIKE, C=10nF

3、输出Diode应为是DCM所以暂时没加snubber

因为开始怀疑是Cp的影响所以没敢用三明治绕法，现在看起来变压器随便绕也不应该出现这么大的分

布电容，我今天再仔细查查什么原因

powercheng

LV.9

2010-03-18 11:25

@power_delivery

谢谢各位的建议1、目前的Duty大约在26%，为了防止次谐波震荡，我的Dmax=0.45，以上波形并非低压满载的情况2、RCD是配合漏感去设计的，RCD的R取值不大，为了尽量降低损耗R=40K左右，所以VDS看不到明显的SPIKE,C=10nF3、输出Diode应为是DCM所以暂时没加snubber因为开始怀疑是Cp的影响所以没敢用三明治绕法，现在看起来变压器随便绕也不应该出现这么大的分布电容，我今天再仔细查查什么原因

1.输出整流二极管加SNUBBER

2.试试三明治绕法

3.试试变压器法拉第屏蔽。

4.试着在原边地&副边地之间加一个Y2或者Y1电容。