一般保险管标明的是10ms内的冲击能量，我明白了。选择保险管关于电流有2个参数：一个是冲击的熔断能量，跟脉冲次数还有关系。假设这里是10000次，则I2t需要除以0.3的系数一个是额定电流，假如以80℃，   IEC标准，应为标准额定电流/0.9/0.78,   UL标准，应为标准额定电流/0.75/0.78选择时大于两者即可。[图片][图片]

为啥I2t取半周期内的熔断能量积分？

帮忙指教下：C*dug/dt=Pi/ug这里t0时刻的电流应该是电容电压最低时刻的输出电流，小于Po/ug,更小于Pi/ug。这样计算是否会引起时刻点偏后，而同时t1点时刻根据第二个方程也会偏后， 造成下面计算的波谷实际缩小。

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蝶形绕法，麻烦出一个示意图

稍微回复下，错了望不要见怪，B值设计一般取0.2T以下原因是，磁芯损耗相对较低，按平方算，0.3T是0.2T的2倍以上,效果显著。

看到大家如此精彩的发言，感同身受，正在徘徊之中，我想知道的是：你今年被杀了吗？还是杀了你的BOSS？

此款芯片价格如何，可以驱动多大的MOS管

当然啊，主要看电流和功率，一般均比标称的要低一点。