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zhou689231:
我觉得是否可以在吸收电路上想一些办法,可以优化突波吸收电路(即RCD缓冲器),减小MOS开关损耗,从而减小温升。另外你的PCB布局是否合理,我建议可以好好考虑下布局,有可能出现的电流尖峰是由于PCB布局不合理导致初级寄生出的漏感过大而导致。
2010-12-23 13:17 回复
原帖:StackFET技术一个很头疼的问题,发热严重
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