VDD差不多比你上图的VDD高一点；MOSFET开通时的电流有50A以上，时延最好不超过1ms，需要us量级的由于上面的要求，PMOS可能不太合适，内阻大，价格贵

是你说的这种情况，隔离变压器和自举都无法使用。拿TLP250来说，MOS关断时，光耦的VCC(8)-GND(5)为12V；MOS开通后光耦的GND(5)就会上浮一个电压VDD(MOSFET的漏极电压)，同样光耦的VCC(8)也要同步上浮一个VDD，这种供电方式有隔离式dc/dc能满足吗[图片]  

1.由于光耦输出需要驱动功率MOSFET，这个MOSFET的驱动电压在12~15V之间，能满足输出电流在几十mA，并且输出电压在12~15V的驱动光耦我没有找到，你知道哪些合适的光耦麻烦推荐下。2.由于隔离要求，上图光耦输出供电需要VDD通过变换得来，MOSFET导通后，MOSFET的栅极电压始终要高于VDD12~15V，很麻烦。3.另外有没有一种芯片输入对GND为15V，输出可以浮地输出15V，实际上就是输出对输入的一个电压搬移，

1.就是光耦自身微弱的驱动能力，只有几十uA级别的驱动电流，驱动能力不够。2.所以为了增大驱动电流，和隔离要求，找到了输出具有图腾结构的光耦，类似3帖说的。但是由于需要浮地供电，供电问题又不知道怎么解决[图片] 

变压器隔离驱动用在PWM中或者说交流状态比较合适，可这个是连续驱动的模式，没法用变压器吧，所以我用光耦

目前的光耦确实输出没有电源，所以驱动能力太弱，但这个方案也是最简单的。应该是在驱动后加个图腾柱吧？这个图腾柱怎么供电？驱动必须浮地供电。

确实这么考虑过，但tlp250的输出如何浮地供电，当时没有考虑清楚，这个是需要专门的芯片吗，能推荐一个参考电路吗，谢谢。

图片在这里[图片] 

你好，你画的图呢？能再说的详细一点吗？