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IGBT和MOSFET该选哪种好?
purple337
最新回复:2013-03-02 21:15
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MOS并联发热不平衡问题
purple337
最新回复:2012-12-21 17:06
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IR1150芯片驱动问题
purple337
最新回复:2012-12-04 23:30
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purple337:
high_fire你好,我现在还碰到一个问题当我220V输入时负载拉到1700W时效率是98%的,但是输入一降到110V的时假效率就剩91%了,还有当我110V输入时,负载接得越大,效率就越低,比如我在1KW时有95%以上的,当拉到1700W时就剩91%了,这会是哪里的参数没选好呢?
2012-12-27 12:45 回复
原帖:IGBT和MOSFET该选哪种好?
purple337:
我用的IR1150.现在正在改散热结构,perfei兄你110V输入时PFC效率大概是多少
2012-12-26 09:27 回复
原帖:IGBT和MOSFET该选哪种好?
purple337:
是浪费,主要是太烫了,110V输入主要还是觉得发热大了点,所以尽量用大点来减少发热,本来是想通过减小驱动电阻来改善发热的,但是电阻一减小就开关波形就会出一大一小现象,不知道perfei兄是用的什么参数,能分享下吗?
2012-12-25 12:34 回复
原帖:IGBT和MOSFET该选哪种好?
purple337:
TK40J60
2012-12-22 17:04 回复
原帖:IGBT和MOSFET该选哪种好?
purple337:
我用两个40A,600V的MOS管并联去做2000WPFC,50KHZ,电流大概20A左右,110V输入时勉强只扛到1700W,那两个MOS管太热了,有什么办法能让管子别那么热
2012-12-22 15:43 回复
原帖:IGBT和MOSFET该选哪种好?
purple337:
是的,,换个管子就好了
2012-12-21 17:06 回复
原帖:MOS并联发热不平衡问题
purple337:
我看过了几种型号的IGBT的资料,,只有一种GT50J325的有明确写工作频率可高达50KHZ,如果不从考虑价格的话IGBT一般在大于50KHZ后是不是就没有什么优势了,主要是受它的开关时间较长限制了吗?
2012-12-18 12:29 回复
原帖:IGBT和MOSFET该选哪种好?
purple337:
fly旅长你好!关于驱动信号那里,我看了下大致是一样的,就在米勒平台那里有个管带有一点小杂波,之后我将原来图1驱动电阻的接法改成图2的方式,一带载就烧管,是不是我图2那里R2和R43.9Ω用得太小了?因为管子烧完了,明天我再将驱动波形截上来[图片]图1[图片]图2
2012-12-17 16:23 回复
原帖:MOS并联发热不平衡问题
purple337:
太感谢楼主了[图片]
2012-12-17 12:35 回复
原帖:发个很好的资料,关于MOS驱动匹配的。
purple337:
驱动电阻跟用的mos管有关系,我现在也是碰到了这种情况,自已试了几种mos管,发现每一种对应的驱动电阻都不一样,只要电阻用小了波形就乱,不知道有没有高手能指导一下这是为什么?
2012-12-06 22:34 回复
原帖:IR1150 驱动波形问题
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