IGBT和MOSFET该选哪种好？

DX们好！很多人都在说高频的选MOSFET，低频的用IGBT较好，我一直很模糊它们关于频率的界线大概在哪，比如我要用在耐压400V，电流20A，频率50KHz的电路中应该选IGBT好还是MOSFET好呢？

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MOS1552052570

LV.1

2012-12-18 09:44

MOS可以了吧性价比也好

perfei

LV.4

2012-12-18 09:49

这个从多方面去考虑吧！

其实data里面也有的！

个人觉得一般超过30K的用MOS。（当然也不是说不能用IGBT）

很多时候要从价格，和管子的采购多方面去考虑！

老钟电源IC

LV.11

2012-12-18 11:19

@MOS1552052570

MOS可以了吧性价比也好

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purple337

LV.2

2012-12-18 12:29

@perfei

这个从多方面去考虑吧！其实data里面也有的！个人觉得一般超过30K的用MOS。（当然也不是说不能用IGBT）很多时候要从价格，和管子的采购多方面去考虑！

我看过了几种型号的IGBT的资料，，只有一种GT50J325的有明确写工作频率可高达50KHZ，如果不从考虑价格的话IGBT一般在大于50KHZ后是不是就没有什么优势了，主要是受它的开关时间较长限制了吗？

南阳镇平人

LV.6

2012-12-18 19:41

@purple337

HGTG30N60比较合适。

wzccsu

LV.1

2012-12-19 23:01

@purple337

IGBT工作频率跟mos比起来还是比较低的。一般20KHz对于IGBT来说就已经算高频了。就拿infineon igbt 第四代芯片来说，T4 E4 P4芯片，T4适合高频工作，一般15-20KHz，E4大概10KHz左右，P4则几KHz。IGBT开关频率还是和它本身的开关损耗等有关系

南阳镇平人

LV.6

2012-12-20 11:32

@wzccsu

IGBT工作频率跟mos比起来还是比较低的。一般20KHz对于IGBT来说就已经算高频了。就拿infineonigbt第四代芯片来说，T4E4P4芯片，T4适合高频工作，一般15-20KHz，E4大概10KHz左右，P4则几KHz。IGBT开关频率还是和它本身的开关损耗等有关系

HGTG30N60做逆变电焊机我们用到65KHZ,电流100A以上。参数各位上网查看。IGBT与MOS管各有优缺点。

qinzutaim

2012-12-20 14:54

按目前的情况看，这个功率段硬开关电路只有MOS……

shvip77

LV.4

2012-12-21 16:24

这种参数的选MOS管是比较合适的因为选IGBT余量浪费太多且价格要比MOS管贵的多！当然IGBT也是可以用的！综合考虑 MOS选600V -650V 700V这样MOS管就OK啦！电流够用就可以

purple337

LV.2

2012-12-22 15:43

@shvip77

这种参数的选MOS管是比较合适的因为选IGBT余量浪费太多且价格要比MOS管贵的多！当然IGBT也是可以用的！综合考虑MOS选600V-650V700V这样MOS管就OK啦！电流够用就可以

我用两个40A，600V的MOS管并联去做2000W PFC，50KHZ，电流大概20A左右，110V输入时勉强只扛到1700W，那两个MOS管太热了，有什么办法能让管子别那么热

perfei

LV.4

2012-12-22 16:41

@purple337

我用两个40A，600V的MOS管并联去做2000WPFC，50KHZ，电流大概20A左右，110V输入时勉强只扛到1700W，那两个MOS管太热了，有什么办法能让管子别那么热

用什么管子做的？

purple337

LV.2

2012-12-22 17:04

@perfei

用什么管子做的？

TK40J60

曾广玺

LV.2

2012-12-22 21:37

个人觉得一般超过30K的用MOS。（当然也不是说不能用IGBT）

IGBT频率上不去，20K左右

perfei

LV.4

2012-12-24 13:56

@purple337

TK40J60

和你的项目惊人的相似！！！！

目前的方案是110V要限制功率！

用TK40J60太浪费了！

ytwsdz

LV.7

2012-12-24 14:16

目前40KHZ以上选择MOS 是正确的。

sometimes

2012-12-24 15:27

基本上现在除非超大功率的单体电源,还在用IGBT,大多数电源都用MOSFET

心中有冰

2012-12-24 17:59

@wzccsu

IGBT工作频率跟mos比起来还是比较低的。一般20KHz对于IGBT来说就已经算高频了。就拿infineonigbt第四代芯片来说，T4E4P4芯片，T4适合高频工作，一般15-20KHz，E4大概10KHz左右，P4则几KHz。IGBT开关频率还是和它本身的开关损耗等有关系

下面是Infineon给出的资料，希望对大家有用

purple337

LV.2

2012-12-25 12:34

@perfei

和你的项目惊人的相似！！！！目前的方案是110V要限制功率！用TK40J60太浪费了！

是浪费，主要是太烫了，110V输入主要还是觉得发热大了点，所以尽量用大点来减少发热，本来是想通过减小驱动电阻来改善发热的，但是电阻一减小就开关波形就会出一大一小现象，不知道perfei兄是用的什么参数，能分享下吗？

perfei

LV.4

2012-12-25 23:05

@purple337

我是用两个20多A的管子弄的！

你是用什么控制芯片，

关键是你的散热结构和方法！

purple337

LV.2

2012-12-26 09:27

@perfei

我是用两个20多A的管子弄的！你是用什么控制芯片，关键是你的散热结构和方法！

我用的IR1150.现在正在改散热结构，perfei兄你110V输入时PFC效率大概是多少

perfei

LV.4

2012-12-26 09:52

@purple337

我用的IR1150.现在正在改散热结构，perfei兄你110V输入时PFC效率大概是多少

都是0.95以上

dreamer662006

LV.8

2012-12-26 10:04

低频用IGBT好，那为什么我们做ORING那里的那个开关还是用MOSFET？？

sometimes

2012-12-26 10:08

@dreamer662006

低频用IGBT好，那为什么我们做ORING那里的那个开关还是用MOSFET？？

那是因为MOSFET的导通电阻可以很小,适合当oring

dreamer662006

LV.8

2012-12-26 10:30

@sometimes

那是因为MOSFET的导通电阻可以很小,适合当oring

谢谢你的回答。这样说来MOSFET的损耗也比IGBT小，开关速度也要比IGBT快。。那IGBT的优势在哪里？是价格便宜吗？

high_fire

LV.5

2012-12-26 10:37

@purple337

我用两个40A，600V的MOS管并联去做2000WPFC，50KHZ，电流大概20A左右，110V输入时勉强只扛到1700W，那两个MOS管太热了，有什么办法能让管子别那么热

这样用一点问题都么有，你设计的问题

purple337

LV.2

2012-12-27 12:45

@high_fire

这样用一点问题都么有，你设计的问题

high_fire你好，我现在还碰到一个问题当我220V输入时负载拉到1700W时效率是98%的，但是输入一降到110V的时假效率就剩91%了，还有当我110V输入时，负载接得越大，效率就越低，比如我在1KW时有95%以上的，当拉到1700W时就剩91%了，这会是哪里的参数没选好呢？

sometimes

2012-12-27 12:47

@dreamer662006

谢谢你的回答。这样说来MOSFET的损耗也比IGBT小，开关速度也要比IGBT快。。那IGBT的优势在哪里？是价格便宜吗？

IGBT适合高压,大功率.

A级MOS大全

LV.7

2012-12-27 13:36

@sometimes

IGBT适合高压,大功率.

拜读

老钟电源IC

LV.11

2013-01-21 15:55

@perfei

都是0.95以上

老钟电源IC

LV.11

2013-01-21 15:56

@sometimes

基本上现在除非超大功率的单体电源,还在用IGBT,大多数电源都用MOSFET

谢谢,学习了,我还没有用过IGBT

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