Emma_shen：
您只说了部分，我详细说下我对功率MOSFET动态特性的个人理解，以您的理解您觉得有纰漏可以补充。。。 如图1所示连接并驱动MOSFET，其中：up为矩形脉冲电压信号源；Rs为信号源内阻；RG为栅极电阻；RL为漏极负载电阻；RF用以检测漏极电流； 如图2所示为MOSFET的动态工作波形：在MOSFET的开通过程，由于MOSFET有输入电容，因此当脉冲电压up的上升沿到来时，输入电容有一个充电过程，栅极电压uGS按指数曲线上升；当uGS上升到开启电压uT时，开始形成导电沟道并出现漏极电流iD；从up前沿时刻到uGS=uT，且开始出现iD的时刻，这段时间称为开通延时时间td(on)；此后，iD随uGS的上升而上升，uGS从开启电压uT上升到MOSFET临近饱和区的栅极电压uGSP这段时间，称为上升时间tr，即MOSFET的开通时间ton=td(on)+tr。在MOSFET的关断过程，当up信号电压下降到0时，栅极输入电容上储存的电荷通过电阻Rs和RG放电，使栅极电压按指数曲线下降，当下降到uGSP继续下降时，iD才开始减小，这段时间称为关断延时时间td(off)；此后，输入电容继续放电，uGS继续下降，iD也继续下降，到uGS