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cbq1985：

现在一些场合都在用SICMOSFET了，一般都是1700V的，由于跨导和沟道效应，VGE一般都会比普通的SIMOSFET大，一般在最大的80%左右，公司使用都会有一个降额使用。我有一个地方不是在太明白，SIMOSFET的VGE当时询问了很多厂家的FAE，最高150度的结温是由于封装的限制，并不是里面的晶元，虽然sic的热导率比较高，是不是只能认为它的功率密度比较大，实际在节温使用时，是否同样要按SIMOSFET一样来限制结温降额。

2013-12-17 10:29 回复

原帖：MOS的选择

cbq1985：

班长好，我有一个不明白的地方，有的厂家VGS标了一个浪涌的值，ms级的可以到30V，在实际的设计过程中不知道可以在范围内使用这个电压。

2013-12-05 21:25 回复

原帖：MOS的选择

cbq1985：

这个要看是什么器件，Trr一般是nS级别，由于Qrr的缘故

2013-07-20 22:44 回复

原帖：反向恢复时间trr=-1，是什么意思啊，是什么等量级啊

cbq1985：

像继电器，断路器这种器件安规也只是给一个参考温度，MOSFET，IGBT这种不能超过其换算后的结温，其它器件按规格书上的环境温度来，人可接触的塑料件65度，可接触的金属70度。