是楼主写错了，你看懂了就行

同意你的观点。t2~t3期间，VGS没变化，说明Cgs并没被充电，Ig的电流几乎全部为Igd。在VDS大于VGS期间，Cgd在放电，Ig充当为放电电流；当VDS小于VGS后，Cgd开始反向充电，Ig充当为反向充电电流。

41号参赛作品+jianjun8410+10票

哦哦，理解您的意思了。等把论文搞完了，我会查查资料的。还有mil/A是什么意思？这个不懂，我的算出来为700mil/A.不在200到500之间。是不是最小不能低于200，最大的话无上限，只要变压器能绕下，工程上考虑200到500间是不是因为成本原因？

您好，我觉得您此步进入了循环计算：您在步骤17中计算出[图片]后来您说“由于DIA=0.4mm>2Dfm=0.182*2=0.364mm，不满足导线直径小于两倍穿透深度的原则，应采用小直径的导线并绕或采用多股导线。设初级绕组股数为2股，则dn=d/SQRT(n)=0.4/SQRT(2)=0.283mm<2Dfm=0.182*2=0.364mm,可得，初级绕组采用单股导线裸直径DIA=0.283mm的2股导线并绕。”但是您在167贴中：CMA={[1.27*DIA*DIA*(π/4)]/IRMS}&nbsp;*&nbsp;(1000/25.4)*&nbsp;(1000/25.4)={[1.27*0.4*0.4*(π/4)]/0.62}&nbsp;*&nbsp;(1000/25.4)*&nbsp;(1000/25.4)=398.7mil/A，满足500≥CMA≥200。我觉得您此处的DIA应该为0.283mm，或者是0.566mm，而不是等于0.4mm。我不知道两股线并绕的DIA算一股线的裸直径，还是需要乘以2倍？

您好，您在步骤5.1.（1）中说“VOR越高，DMAX越大，可减小输入电容的容值，提高低压时的能量传输。”请问为什么“DMAX越大，可减小输入电容的容值，提高低压时的能量传输？“您能解释下吗？

您好：可有计算与MOSFET并联的RCD参数计算方面的公式、资料等？

我用的是手持式的RLC测量表，跟手持式万用表差不多大的。我把频率调到10KHZ，测的的初级漏感为29uh，频率为1KHz时，测得的漏感为42.3uh。我的初级电感量为理论值2.007mh，实际值为2.029mh。

您好：请问您为什么强调“需要注意的是，测试频率应采用变换器的工作频率。”我有疑问了：1.频率跟漏感之间有什么关系&nbsp;？&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;2.我如果用信号发生器产生我需要的频率，是直接接在变压器的待测线圈两端吗（别的线圈短接）？但是这样怎么测量漏感呢？

您好，我测漏感时，按你说的，把别的线圈全部短接，但是我测量的这个线圈的漏感值一直在慢慢的下降是怎么回事？非常非常慢慢地下降，大概好几秒下降0.1uh。