木槿年华主页-电源网

木槿年华：

状态机的转移，现在一直在用这个做按键的扫描。解放MCU

2014-02-27 01:50 回复

木槿年华：

收了

2014-02-26 23:51 回复

木槿年华：

也就是R9原来接+12V处改成接负端（也就是原来光耦的E极处）。而将光耦C极改接+12V处，光耦E极改接至MOS管栅极。

2014-02-26 02:34 回复

木槿年华：

要相反？那要把光耦与R9位置互换！

2014-02-26 02:32 回复

木槿年华：

原因是光耦在一周期内只有一小半时间是导通的，截止期间12V通过10K对C4充电，其后期电压已经高于Vgs(th)了，也就是处于微导通与截止的交替之中，所以FJ1就会慢速旋转。解决的办法有下面几种：1、增大R9。2、增大C4。3在光耦输入端并联电解电容。

2014-02-26 02:31 回复

木槿年华：

把R9换成100K试试！

2014-02-26 02:28 回复

木槿年华：

去看看数据手册上MOS管的符号是怎么画的！

2014-02-26 02:27 回复

木槿年华：

这根本就不是MOS管的画法！而是个NPN三极管！

2014-02-26 02:26 回复

木槿年华：

如果说FJ1的电流很小，那么可以直接用光耦控制，否则的话①光耦的输出端是否允许这么大的电流？②即便是光耦的电流允许这么大，那光耦的输入端是否也需要要足够大的输入电流才能驱动，那么输入的功耗要多大呢？（你的输入端不是要接220V吗？那你算算那个串联的降压电阻需要多大的功率？）

2014-02-26 02:25 回复

木槿年华：

取消R8后，光耦导通时MOS管栅极电位很低，接近0V，可以很可靠关断。而光耦截止时，栅极电位接近12V，沟道电阻很低，处于比较理想的导通状态。（按数据手册数据，10V时的沟道电阻小于11.5Ω）

2014-02-26 02:24 回复