• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

谁能帮我解决这个 整流与稳压 的问题

大家好，我有一个电路，是40mA的负载和60mA的负载切换工作的，但是电压都是12V!输入220V交流，我想使用阻容降压来实现!说一下实现的想法：

当BL与RD接通 LED通， 当BL与BK接通且C与L导通时，FJ1负载工作! 我现在按照这个电路图设计好后，R8取值820Ω R9取270Ω 发现只要BL和BK导通 不论C与L是否接通，FJ1都工作!后来我又把R8换成100K R9换成75K ，也是一个效果! 后来我干脆将MOS管去掉，直接通过光耦CE端带FJ1，发现BL与BK接通且C与L导通，FJ1就是不工作! 请大家帮我分析下，我要如何更改!电路原理图，以及1N60和 光耦EL817的规格书 谢谢大家了! R8，R9 按照2:1取值为什么不行?R7的电阻是不是不对?另外 直接通过光耦CE端串接在FJ1上，是否可行?EL817.pdf

FQD1N60C.pdf

电路原理图.pdf

全部回复(24)
正序查看
倒序查看
ymyangyong
2
2014-02-17 23:58
没明白为什么要用光耦。R8、R9 取值也有问题，没法关断Q2，控制逻辑也反了。直接用光耦接FJ1的话，电流又不够。
0
回复
xzszrs
LV.11
3
2014-02-19 16:53

电路设计错误，光耦导通的压降大，不串电阻都不足以把1N60栅极电压拉到导通电压以下。

0
回复
Apple53719
LV.2
4
2014-02-26 02:20
Q2是MOS管？怎么是三极管的符号？
0
回复
爱在春天
LV.4
5
2014-02-26 02:21
@Apple53719
Q2是MOS管？怎么是三极管的符号？
是MOS管 是1N60  里面有规格书
0
回复
木槿年华
LV.2
6
2014-02-26 02:22
R9=20K   R8=0   试试！
0
回复
木槿年华
LV.2
7
2014-02-26 02:22
R8属于画蛇添足之举！倒是MOS管栅极与地之间加个12V稳压管保护，以防止意外高电压加在栅极上是个可以考虑的措施。
0
回复
爱在春天
LV.4
8
2014-02-26 02:22
@木槿年华
R8属于画蛇添足之举！倒是MOS管栅极与地之间加个12V稳压管保护，以防止意外高电压加在栅极上是个可以考虑的措施。
R8和R9 不是为了分压 给MOS提供导通电压么？ 这个原理图有问题么？
0
回复
木槿年华
LV.2
9
2014-02-26 02:23
场效应管属于电压控制器件。只要电压足够高就导通（当然要在栅极允许的电压之下，一般不能超过20V），电压足够低（
0
回复
乱世佳人
LV.2
10
2014-02-26 02:23

1N60先拿掉，

示波器看R8 R9 中间的波形，你就明白了

0
回复
木槿年华
LV.2
11
2014-02-26 02:24
取消R8后，光耦导通时MOS管栅极电位很低，接近0V，可以很可靠关断。而光耦截止时，栅极电位接近12V，沟道电阻很低，处于比较理想的导通状态。（按数据手册数据，10V时的沟道电阻小于11.5Ω）
0
回复
爱在春天
LV.4
12
2014-02-26 02:25
@木槿年华
取消R8后，光耦导通时MOS管栅极电位很低，接近0V，可以很可靠关断。而光耦截止时，栅极电位接近12V，沟道电阻很低，处于比较理想的导通状态。（按数据手册数据，10V时的沟道电阻小于11.5Ω）
能否直接把FJ1和光耦的输出CE串接一起？直接用光耦控制 取消MOS！ 我去试试你说的 取消R8看看效果如何
0
回复
木槿年华
LV.2
13
2014-02-26 02:25
@爱在春天
能否直接把FJ1和光耦的输出CE串接一起？直接用光耦控制取消MOS！我去试试你说的取消R8看看效果如何
如果说FJ1的电流很小，那么可以直接用光耦控制，否则的话①光耦的输出端是否允许这么大的电流？②即便是光耦的电流允许这么大，那光耦的输入端是否也需要要足够大的输入电流才能驱动，那么输入的功耗要多大呢？（你的输入端不是要接220V吗？那你算算那个串联的降压电阻需要多大的功率？）
0
回复
爱在春天
LV.4
14
2014-02-26 02:26
@木槿年华
如果说FJ1的电流很小，那么可以直接用光耦控制，否则的话①光耦的输出端是否允许这么大的电流？②即便是光耦的电流允许这么大，那光耦的输入端是否也需要要足够大的输入电流才能驱动，那么输入的功耗要多大呢？（你的输入端不是要接220V吗？那你算算那个串联的降压电阻需要多大的功率？）
对了 我这个MOS管的极性没有画错把 我画的时候是按照上 G  左D  右S来画图的
0
回复
木槿年华
LV.2
15
2014-02-26 02:26
@爱在春天
对了我这个MOS管的极性没有画错把我画的时候是按照上G  左D  右S来画图的
这根本就不是MOS管的画法！而是个NPN三极管！
0
回复
木槿年华
LV.2
16
2014-02-26 02:27
@爱在春天
对了我这个MOS管的极性没有画错把我画的时候是按照上G  左D  右S来画图的
去看看数据手册上MOS管的符号是怎么画的！
0
回复
爱在春天
LV.4
17
2014-02-26 02:27
@木槿年华
取消R8后，光耦导通时MOS管栅极电位很低，接近0V，可以很可靠关断。而光耦截止时，栅极电位接近12V，沟道电阻很低，处于比较理想的导通状态。（按数据手册数据，10V时的沟道电阻小于11.5Ω）
我试验了  还是不行！ 我按照你说的 取消了R8  把R9换成了20K ！当BL和BK导通的时候，FJ1就开始工作了，但是如果将C和L闭合，那么FJ1旋转的速度变慢！
0
回复
木槿年华
LV.2
18
2014-02-26 02:28
@爱在春天
我试验了  还是不行！我按照你说的取消了R8  把R9换成了20K！当BL和BK导通的时候，FJ1就开始工作了，但是如果将C和L闭合，那么FJ1旋转的速度变慢！
把R9换成100K试试！
0
回复
爱在春天
LV.4
19
2014-02-26 02:29
@乱世佳人
1N60先拿掉，示波器看R8R9中间的波形，你就明白了
什么意思呢  我就想问问 我现在要怎么做 才能达到我想要的效果
0
回复
乱世佳人
LV.2
20
2014-02-26 02:30
@爱在春天
什么意思呢  我就想问问我现在要怎么做才能达到我想要的效果
你得明白MOS开通的条件， 你先看看波形 再来
0
回复
木槿年华
LV.2
21
2014-02-26 02:31
原因是光耦在一周期内只有一小半时间是导通的，截止期间12V通过10K对C4充电，其后期电压已经高于Vgs(th)了，也就是处于微导通与截止的交替之中，所以FJ1就会慢速旋转。解决的办法有下面几种：1、增大R9。2、增大C4 。3在光耦输入端并联电解电容。
0
回复
爱在春天
LV.4
22
2014-02-26 02:32
@木槿年华
原因是光耦在一周期内只有一小半时间是导通的，截止期间12V通过10K对C4充电，其后期电压已经高于Vgs(th)了，也就是处于微导通与截止的交替之中，所以FJ1就会慢速旋转。解决的办法有下面几种：1、增大R9。2、增大C4。3在光耦输入端并联电解电容。
我按照你说的 增大了 R9  确实起到效果了 可是是相反的想过！  我换成100K的 ，现在是BL和BK导通  必须断开C和L，FJ1才工作，如果BL和BK导通 ，同事也让C和L闭合，那FJ1就不工作

 和我设想的正好相反

0
回复
木槿年华
LV.2
23
2014-02-26 02:32
@木槿年华
原因是光耦在一周期内只有一小半时间是导通的，截止期间12V通过10K对C4充电，其后期电压已经高于Vgs(th)了，也就是处于微导通与截止的交替之中，所以FJ1就会慢速旋转。解决的办法有下面几种：1、增大R9。2、增大C4。3在光耦输入端并联电解电容。
要相反？那要把光耦与R9位置互换！
0
回复
木槿年华
LV.2
24
2014-02-26 02:34
@爱在春天
我按照你说的增大了R9  确实起到效果了可是是相反的想过！  我换成100K的，现在是BL和BK导通  必须断开C和L，FJ1才工作，如果BL和BK导通，同事也让C和L闭合，那FJ1就不工作 和我设想的正好相反
也就是R9原来接+12V处改成接负端（也就是原来光耦的E极处）。而将光耦C极改接+12V处，光耦E极改接至MOS管栅极。
0
回复
Mickeyso1n
LV.2
25
2014-02-26 02:35

改动如下：

1、R9＝10K，R9接12V电源的那一端改成接地

2、R8＝1K，接817第4脚改成接第3脚

3，817第4脚接12V地，改成接12V

0
回复
工程师都在看
【 DigiKey DIY原创大赛】无频闪台灯改装
hellbaron
国巨集团和Microchip高压解决方案，助力打造坚固可靠的电气化系统
电源网-fqd
【 DigiKey DIY原创大赛】2、过程篇-BME688模块的使用
无言的朝圣
【 DigiKey DIY原创大赛】基于反激式开关电源的手机充电器设计（一）原理图设计和器件选型篇
砖一谈芯
【 DigiKey DIY原创大赛】基于反激式开关电源的手机充电器设计（二）PCB Layout篇
砖一谈芯
立
即
发
帖