不好意思…打错了…11Ω，我是按照内阻和电流计算的。单个MOS内阻8mΩ，Id80A，现在5个并联，保护点取0.5V，不知道这样对不对？具体保护点应该怎么设置最合理？求指导~谢谢啦~

其实我也不是很懂…不过最近在看这个…一般大功率并网用的多。根据逆变电源系统的状态方程和输出反馈信号来计算逆变器下一个采样周期的脉冲宽度。这种算法中，每个采样间隔发出的控制量是根据当前时刻的状态向量和下一周期时刻的参考正弦值计算出来的。所以由负载扰动或非线性负载引起的输出电压偏差可在一个采样周期内得到修正。基于这种控制的论文很多。我记得MICROCHIP有个文档讲过这个，叫PICREF-1。你可以看看。用单片机就可以粗略的实现了。

慢慢加到满载就保护，而且满载是在保护临界状态。用万用表测，393基准确实达到0.5V。换了Id更大的管子（210A）就没问题了。但是感觉还是保护提前了，按照计算80A的管子5个做1500W绰绰有余啊……我不是太懂管子均流，MOS不是有自动均流特性么。我是把MOS直接并起来一起驱动的，每个管子栅串一个抗阻尼电阻（11K），驱动电路可以拉出1A的电流。

请问这个东西主要看什么？我直流侧地和交流侧地通过电容都接在散热器上，剩下的模拟地也是一点接在电瓶负端的，逐脉冲比较器用的是普通393。现在不知道从何入手分析，是否应该先测393输入看有没有干扰？谢谢～

自顶～

无差拍控制，根据系统传输函数无差的计算下一拍脉冲宽度。但要求采样频率很快，基本要等于开关频率最好。