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对于二次平台我是这样理解的，当IC驱动是高电平时，MOSFET开启，变压器初级绕组和MOSFET的Ids电流线性增加，当驱动电平变为低电平的过程中，会组成一个回路，电流的方向是IC的输出端-IC地-MOSFET源极电阻-MOS管源栅极-MOS管栅极，这个电流方向和MOS管漏源极电流方向相反，所以产生一个低谷，其实流过变压器和MOS管中的电流还是增加的，当MOS管栅极电压降到密勒平台以下时MOS管才会迅速关断，电流减小，这一点你可以用电流钳测试MOS管漏极的电流。

一般1206的电阻耐压为200V，也有400V的高压电阻；0805的耐压是150V,启动电阻可以选择400V的高压电阻，或者200V电压的电阻两个串起来使用等等。

那大家抓紧努力啊!

学习了，今后会注意。

反馈绕组的相位或者是次级绕组的相位绕反了也不能带载吧！