我最近刚刚接触这个，也很迷茫，MOSFET和IGBT的这个饱和区一直不能理解，究竟什么是饱和？只要正偏反偏满足就可以达到了吗？？说靠近纵坐标或者横坐标，但是MOSFET和IGBT的饱和区恰恰相反的。哪位能够白话文一下。