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IGBT应用的几个问题（有图）

 以前用IGBT只注意了一些额定常数，昨天在细看datasheet有几个问题问下图1是某IGBT的

输出特性（SGP10N60RUFD），Ic最大电流16A @T=25度，看下面这个输出特性，当Vge=15V
时，Ic=16A还工作在线性区，这是为什么，igbt应该工作在饱和区啊？另外在实际电路中
Ic应该由负载决定，是不是继而Vce此时也已被确定？图2，3是另两款igbt为什么最大电流
都在线性区？那位可以说说在设计中Ic，Vce，Vge之间的决定关系，谢谢


 


  

全部回复(15)
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世界真奇妙
2
2011-07-21 12:58

工作在饱和区。IGBT在不同工作条件时，饱和压降是不一样的。

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weilauto
LV.1
3
2011-07-21 13:10
@世界真奇妙
工作在饱和区。IGBT在不同工作条件时，饱和压降是不一样的。

igbt压控型器件，Vce随Ic的增加而增加，难道不是线性区吗，如何判断的线性饱和？？

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世界真奇妙
4
2011-07-21 13:12
@weilauto
igbt压控型器件，Vce随Ic的增加而增加，难道不是线性区吗，如何判断的线性饱和？？
所有的半导体器件都是Vce随Ic的增加而增加，包括二极管的正向压降。
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weilauto
LV.1
5
2011-07-21 13:17
@世界真奇妙
所有的半导体器件都是Vce随Ic的增加而增加，包括二极管的正向压降。
恩？？？在饱和去，Ic不再随Vce而变化啊 
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世界真奇妙
6
2011-07-21 13:21
@weilauto
恩？？？在饱和去，Ic不再随Vce而变化啊[图片] 
靠近纵坐标的才是饱和区。
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weilauto
LV.1
7
2011-07-21 13:25
@世界真奇妙
靠近纵坐标的才是饱和区。

你的意思是igbt正常情况下工作在靠近纵轴这一段？


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世界真奇妙
8
2011-07-21 13:32
@weilauto
你的意思是igbt正常情况下工作在靠近纵轴这一段？

IGBT导通必定有一定的电流，纵轴是电流，如果曲线靠近横轴，IGBT没有电流，IGBT是截止的

 

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weilauto
LV.1
9
2011-07-21 13:36
@世界真奇妙
IGBT导通必定有一定的电流，纵轴是电流，如果曲线靠近横轴，IGBT没有电流，IGBT是截止的 
您这一说我真不懂了，我理解的IGBT都应工作在图中与横轴平行的那一段横流区，否则在斜线那一段igbt不再是开关工作模式，而是线性工作模式？
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世界真奇妙
10
2011-07-21 13:41
@weilauto
您这一说我真不懂了，我理解的IGBT都应工作在图中与横轴平行的那一段横流区，否则在斜线那一段igbt不再是开关工作模式，而是线性工作模式？
好好看看书吧！
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世界真奇妙
11
2011-07-21 13:44
@世界真奇妙
好好看看书吧！
IGBT的工作模式与普通晶体管的工作模式没有本质的区别，只不过一个是电压驱动，一个是电流驱动，晶体管的特性曲线明白了，IGBT的也就明白了。
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weilauto
LV.1
12
2011-07-21 13:49
@世界真奇妙
好好看看书吧！
文献都是说工作在与横轴平行的那一段横流区（对igbt等效内含的晶体管来说是饱和区），我在这是第一次听到应该工作在您说的那段靠近纵轴的区域。。。
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weilauto
LV.1
13
2011-07-21 16:19
@weilauto
文献都是说工作在与横轴平行的那一段横流区（对igbt等效内含的晶体管来说是饱和区），我在这是第一次听到应该工作在您说的那段靠近纵轴的区域。。。
大家出来说说啊
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zhouboak
LV.8
14
2011-11-04 19:13
@weilauto
大家出来说说啊[图片]
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winddy_zeng
LV.1
15
2011-11-19 15:17
@weilauto
文献都是说工作在与横轴平行的那一段横流区（对igbt等效内含的晶体管来说是饱和区），我在这是第一次听到应该工作在您说的那段靠近纵轴的区域。。。

说实话，工作在与横轴平行的那段横流区是“截止区”，与纵轴平行的区域才是饱和区。

我们可以这样理解，截止区是指无论Uce如何变化，几乎都没有ic，显然这个和与横轴平行的那段曲线相符。

同样的道理，饱和区是指IGBT完全导通，呈现开关状态，那么开关两端的电压就会接近于Uce(sat)，ic则是由负载决定的。此时，这二者的关系为一与纵轴平行的曲线。

当然，很多书上也写的很明确的。

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wgm107
LV.1
16
2015-11-11 11:30
@winddy_zeng
说实话，工作在与横轴平行的那段横流区是“截止区”，与纵轴平行的区域才是饱和区。我们可以这样理解，截止区是指无论Uce如何变化，几乎都没有ic，显然这个和与横轴平行的那段曲线相符。同样的道理，饱和区是指IGBT完全导通，呈现开关状态，那么开关两端的电压就会接近于Uce(sat)，ic则是由负载决定的。此时，这二者的关系为一与纵轴平行的曲线。当然，很多书上也写的很明确的。
我最近刚刚接触这个，也很迷茫，MOSFET和IGBT的这个饱和区一直不能理解，究竟什么是饱和？只要正偏反偏满足就可以达到了吗？？说靠近纵坐标或者横坐标，但是MOSFET和IGBT的饱和区恰恰相反的。哪位能够白话文一下。
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