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IGBT应用的几个问题（有图）
weilauto
最新回复：2015-11-11 11:30
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weilauto：
大家出来说说啊[图片]
2011-07-21 16:19 回复
原帖：IGBT应用的几个问题（有图）
weilauto：
文献都是说工作在与横轴平行的那一段横流区（对igbt等效内含的晶体管来说是饱和区），我在这是第一次听到应该工作在您说的那段靠近纵轴的区域。。。
2011-07-21 13:49 回复
原帖：IGBT应用的几个问题（有图）
weilauto：
您这一说我真不懂了，我理解的IGBT都应工作在图中与横轴平行的那一段横流区，否则在斜线那一段igbt不再是开关工作模式，而是线性工作模式？
2011-07-21 13:36 回复
原帖：IGBT应用的几个问题（有图）
weilauto：
你的意思是igbt正常情况下工作在靠近纵轴这一段？
2011-07-21 13:25 回复
原帖：IGBT应用的几个问题（有图）
weilauto：
恩？？？在饱和去，Ic不再随Vce而变化啊[图片]
2011-07-21 13:17 回复
原帖：IGBT应用的几个问题（有图）
weilauto：
igbt压控型器件，Vce随Ic的增加而增加，难道不是线性区吗，如何判断的线性饱和？？
2011-07-21 13:10 回复
原帖：IGBT应用的几个问题（有图）
weilauto：
变压器的绕住间电容应该是要被消除的，越小越好，一般都用原副方接接地屏蔽铝箔来处理，你这里说他是Y电容用于抗扰的，我有点没理解
2011-04-22 13:28 回复
原帖：【求教】为什么反激变换器的Y电容要连接在变压器原边和副边的同名端之间？
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