和仿真相比，PCB上只是多了一个对输出采样的电压跟随器以及相连的RC滤波网络。仿真电路设计好的，不会震荡，且也观察过负载及输入扰动的情况，很正常。难道要把这个多出来的RC滤波网络去掉？

赶快召唤一些大神讲解讲解~

亲，我的Buck电路在没有加软开关的情况下，可工作在2kW左右的功率级别；然而，当加上软开关之后，输入输出关系还算正常，然而波形相当差；无论是主功率管的栅源波形，还是辅助功率管的栅源波形，然后，看了看VBS波形；二者的VBS波形都很差，于是，就试着用在自举电容两端并联DCDC隔离电源的方法，然而波形好像并没有什么改善。如图所示。[图片][图片]该图中，红色为主功率管vgs波形；蓝色为主功率管驱动芯片自举电容VBS电压波形；其中波形中的100mV表示5V，因为探头本身具有一定的放大倍数；[图片]该图中，蓝色为辅助功率管栅源波形；红色为辅助功率管驱动芯片VBSQ两端波形；[图片]该图为又一次测试时的波形，其中，红色为主功率管vgs波形，蓝色为主功率管vds波形；

[图片]您好！请教一个问题；Buck电路测试时，未加软开关的情况下，波形正常，可高达2kW；而采用ZVT软开关后，VBVS之间波形异常；于是，在VBVS的自举电容两端并联了一个金升阳的24V转15V的隔离电源，正常情况下，VBVS应当为稳定的15V，而事实情况如下图所示：[图片]其中，红色部分为主功率管栅源波形；而蓝色波形为自举电容两端的VBVS波形；该波形是在自举电容两端并联隔离电源后所测得的；会有什么因素可以使得并联隔离电源后，VBVS之间的电压依然会有如上图所示的波动？？？

对啊，VS竟然没接到源极。。

这个脉冲变压器驱动的方法，我尝试过；感觉栅源驱动波形较差；虽然添加了推挽电路，但是上升沿与下降沿的陡峭性不够好；不过，如果采用27楼皇甫楼主，可能对下降沿有所改善。电路结构和仿真分别如下图所示，有些改善：只是2V到0V的变化曲线依然不够好；[图片][图片][图片][图片]只是前面我还有一个问题：我需要将0-5V的PWM波转换成0-16V之后，驱动MOS；所以需要在脉冲变压器左侧的推挽电路前面加一级电平转换电路；电平转换电路采用2N3904和上拉电阻组成；推挽电路由8050和8550构成；但信号经过电平转换电路后，占空比发生改变，这是一个很缠人的问题；然而查看2N3904的数据手册，发现其基极和发射极之间的寄生电容并不大；其工作频率也可以很高，远大于200khz；

您好！请教一个问题；（1）我也设计了一个Buck电路，并绘制PCB；利用自举原理驱动；测试时，发现2kw以下正常；2kW时发生栅氧击穿，然而我的栅源极之间实现并有稳压二极管，应当不会超过MOS管的栅源最大电压，这是为何？该怎么处理呢？我在MOS管失效分析的帖子中，并没有找到相关的详细阐述；（2）关于自举的问题；仅仅单测Buck电路时，自举供电正常；然而当引入软开关后，发现主功率管和辅助功率管的栅源波形都变得很差；于是，用差分探头检测了一下自举电容两端电压，波形较差；为了改善栅源波形，采用了15V隔离电源并联在自举电容两端，以提供稳定的VBS电压；然而测试表明，即使添加隔离电源，VBS波形依然会变得很差；这就出现问题了!!!为什么隔离电源并联上之后，输出却不是稳定的15V呢？是怎么被影响的呢？？

推挽电路的确可以增加管子的驱动能力，只是自己在仿真及实际应用中，感觉效果一般，不知道那个地方没有设计好。如图。[图片]基极电流为50mA，8050和8055最大电流为1.5A，利用推挽结构增大输出电流；根据8050datasheet而言，50mA基极电流可得到1.5A集电极电流；然而仿真波形中，可看出MOS管的充放电电流(与脉冲变压器左侧电流波形一致)最大800mA，并且还只是在放电阶段；充电阶段电流峰值为400mA；如下图所示；[图片]

您好，近期测试一个Buck电路，2kW一下还好；2kW时，大概1分钟内便会出现MOS管损坏的问题，测试表明，栅氧击穿；然而，电路上的MOS管栅源两端其实并联有稳压二极管；这个稳压二极管由两个稳压二极管串联组成，分别钳制正向和负向栅源电压最大值。为什么会栅氧击穿呢？又该如何解决呢？

此答复为最初的问题作出回答！算是可以结贴吧，其实中间在和版主谈论的时候，还引出一些其他的疑问！最初的问题是驱动芯片烧毁和辅助电源烧毁！怀疑部分电流流经驱动芯片或者驱动芯片抽取大电流！最初的板子测试时，曾经在驱动芯片的COM和地之间设计了一个二极管和零欧姆并联的连接，目的就是防止会出现仿真过程中电流流过驱动芯片的状况！后来可能自己测试测混了，感觉这个二极管没有作用；如今，重新焊接测试，发现COM和地之间的这个二极管还是有很大作用的，现在，测到2kW的时候，依然没有问题！但是驱动芯片坏掉的原因感觉可以参照文章《负压引起驱动芯片失效的原理分析》