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【人气王+山东信息职业技术学院】+简易低功耗数字万用表+x1995418
山东信院
最新回复:2016-04-05 16:15
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山东信院:
快充应用中变压器设计时进行综合考量对于设计工程师来说将是个挑战。
2016-03-03 21:42 回复
原帖:PI最炫精华 15W适配器产品INN2214K
山东信院:
随着功率增加,外壳较小,如果电源转换效率不高,充电器发热严重的话,相应对产品的可靠性也是个考验。
2016-03-03 21:42 回复
原帖:PI最炫精华 15W适配器产品INN2214K
山东信院:
而快速充电的输出电压是变化的,因而要考虑使用单一变压器实现不同输出电压情况下的效率问题。
2016-03-03 21:41 回复
原帖:PI最炫精华 15W适配器产品INN2214K
山东信院:
在以前的输出电压固定的设计当中,优化效率相对来讲比较容易。
2016-03-03 21:35 回复
原帖:PI最炫精华 15W适配器产品INN2214K
山东信院:
而即将兴起的USB-PD协议,则可以完全实现双向通讯,且其传输功率可以进一步增加,应用前景将更加广阔。
2016-03-01 22:14 回复
原帖:PI最炫精华 15W适配器产品INN2214K
山东信院:
总结的还不错,其实DATASHEET里面有温度相关的特征曲线的,只不过真正去看和比较的人不多;MOSFET不像IGBT,电流定义的规格不同,IGBT以100C能承受的电流来定义的,但是MOSFET是以25C来定义,所以某种程度上可以以小充大,其实只要仔细看看后面的温度曲线就知道大概了,当然一分钱一份货的,在价格主导的今天,大家都是尽量做到最好的折衷..
2016-03-01 21:07 回复
原帖:COOLMOS与普通VDMOS的差异及应用建议
山东信院:
coolmos应该是未来业界的潮流,值得好好学习和研究!
2016-03-01 21:07 回复
原帖:COOLMOS与普通VDMOS的差异及应用建议
山东信院:
NCE的和Infineon的C3是基本同一个平台但有工艺改进而来的,那驱动Qg和结电容导致炸机的风险Toshiba和ST之类的风险要高于NCE。
2016-03-01 21:06 回复
原帖:COOLMOS与普通VDMOS的差异及应用建议
山东信院:
Coolmos的Rds是正温度系数的东西,但Toshiba和ST的Rds标示的是25C是的参数,实际mosfet工作起来是25C还是125C?有测过除开Infineon的外ST和Toshiba之流的125C时候的实际Rds是否是他规格书中的参数吗?把Toshiba或者ST的所谓20N60的coolmos和NCE,Infineon的20N60拿来做一下对比测试就知道谁在忽悠人了。
2016-03-01 21:06 回复
原帖:COOLMOS与普通VDMOS的差异及应用建议
山东信院:
举个例子,在一个70W的笔记本适配器上,很多还是用的20A的平面管(或者是16A),但是我们知道实际电路里的有效电流其实很小,用20A只是看重他的低内阻,降低损耗,降低温升。
2016-03-01 21:05 回复
原帖:COOLMOS与普通VDMOS的差异及应用建议
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