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PMOS烧毁的问题
123_meng
最新回复:2016-06-13 07:30
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123_meng:
对,我用的是电子负载,但是电子负载的精度是可以保证的,用了很多年了[图片]
2016-06-12 11:00 回复
原帖:PMOS烧毁的问题
123_meng:
后面是通过一个插槽连接另一块板子,但是在实验时没有插板,所以没有后面的DCDC输入电容,冲击电流一般也只会出现在开通或者热插拔的时候,我是缓慢增加负载出现烧毁情况。关于烧mos抓波形的实验,由于我现在可实验的板卡有限,所以我想多征求一下分析意见再进行这种实验,还有有没有在缓慢增加负载的情况下mos出现超SOA的可能
2016-06-11 09:52 回复
原帖:PMOS烧毁的问题
123_meng:
10A条件下DS压差是22mv,GS是-11.36V,至于输入输出电容,在近端都没有放置。
2016-06-10 09:55 回复
原帖:PMOS烧毁的问题
123_meng:
[图片]这是PCB,控制GATE端的芯片是TI的TPS2363PFBR,功率部分的线路图就是上图,很简单的PMOS实现的DCDC转换,大多数情况下,两相烧毁的是左边的MOS
2016-06-08 10:42 回复
原帖:PMOS烧毁的问题
123_meng:
还有,不仅是IR的,仙童的,英飞凌的我都试过了,都是一样的情况,但是我不知道具体原因出现在哪[图片]
2016-06-06 18:49 回复
原帖:PMOS烧毁的问题
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