PMOS烧毁的问题

各位大哥，小弟这儿有一个问题想请教一下大家，在我的设计板上有一个线路是DCDC 12V-12V，是通过两颗PMOS切换的，现在我遇到的问题是，两颗PMOS的通流能达到25A就烧毁（能看到明显冒烟），但是断掉其中一颗，只让一相工作，也能达到25A才烧毁，烧毁前量测两相MOS温度，均在43℃，这点能断定此时两相均流；只一相工作时，烧毁前量测MOS温度，大概在70℃。PMOS的规格Id=21A，TA=25℃，用的是IR的IRF9310PBF

原理图

这种现象应该怎么分析，望各位大哥指导，谢谢！

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123_meng

LV.1

2016-06-06 18:49

还有，不仅是IR的，仙童的，英飞凌的我都试过了，都是一样的情况，但是我不知道具体原因出现在哪

电源网-fqd

2016-06-07 10:35

已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

ymyangyong

2016-06-07 11:49

@123_meng

还有，不仅是IR的，仙童的，英飞凌的我都试过了，都是一样的情况，但是我不知道具体原因出现在哪[图片]

这两个电容感觉是多余的，C1274位置应该加个泄放电阻，栅极电阻适当加大一些，防止并联MOS产生寄生震荡。

t.t.lee

LV.5

2016-06-08 09:09

请将完整原理图和PMOS周边PCB图都截图上来。

一定给你找到原因。

123_meng

LV.1

2016-06-08 10:42

@t.t.lee

请将完整原理图和PMOS周边PCB图都截图上来。一定给你找到原因。

这是PCB，控制GATE端的芯片是TI的TPS2363PFBR，功率部分的线路图就是上图，很简单的PMOS实现的DCDC转换，大多数情况下，两相烧毁的是左边的MOS

t.t.lee

LV.5

2016-06-08 12:07

@123_meng

[图片]这是PCB，控制GATE端的芯片是TI的TPS2363PFBR，功率部分的线路图就是上图，很简单的PMOS实现的DCDC转换，大多数情况下，两相烧毁的是左边的MOS

由于你没有完整原理图，请告之你后端负载电容多大？就是12V输出的滤波电容。最好也有12V的输入滤波电容值。另外，你量一下在10A电流时，MOS的DS之间压差多少mV给我。此时一并量一下VGS是多少V。

左边与右边MOS，差别就是电流不均，左边那路比右边电流大，说明设计有问题。只有将上面几个参数都查出来，才好一次性解决。

123_meng

LV.1

2016-06-10 09:55

@t.t.lee

由于你没有完整原理图，请告之你后端负载电容多大？就是12V输出的滤波电容。最好也有12V的输入滤波电容值。另外，你量一下在10A电流时，MOS的DS之间压差多少mV给我。此时一并量一下VGS是多少V。左边与右边MOS，差别就是电流不均，左边那路比右边电流大，说明设计有问题。只有将上面几个参数都查出来，才好一次性解决。

10A条件下DS压差是22mv，GS是-11.36V，至于输入输出电容，在近端都没有放置。

t.t.lee

LV.5

2016-06-10 17:24

@123_meng

10A条件下DS压差是22mv，GS是-11.36V，至于输入输出电容，在近端都没有放置。

并联后，实际是2.2mR，25A*2.2mR*25A=1.375W，也就是说不是直流发热烧MOS的。

是问输入输出电容多大，后端DCDC的输入电容，也有关系的。

后面DCDC的输入电容太小的话，DCDC的脉冲电流也会引起PMOS的脉冲电流大。

后面DCDC的输入电容太大的话，开通PMOS时的冲击电流会大。

用示波器抓2mR合金电阻上的波形 (从上电启动到烧毁MOS管时的波形，都抓出来) 。就能知道是什么原因引起的了。

知道原因后，就好解决。

123_meng

LV.1

2016-06-11 09:52

@t.t.lee

并联后，实际是2.2mR，25A*2.2mR*25A=1.375W，也就是说不是直流发热烧MOS的。是问输入输出电容多大，后端DCDC的输入电容，也有关系的。后面DCDC的输入电容太小的话，DCDC的脉冲电流也会引起PMOS的脉冲电流大。后面DCDC的输入电容太大的话，开通PMOS时的冲击电流会大。用示波器抓2mR合金电阻上的波形(从上电启动到烧毁MOS管时的波形，都抓出来)。就能知道是什么原因引起的了。知道原因后，就好解决。

后面是通过一个插槽连接另一块板子，但是在实验时没有插板，所以没有后面的DCDC输入电容，冲击电流一般也只会出现在开通或者热插拔的时候，我是缓慢增加负载出现烧毁情况。关于烧mos抓波形的实验，由于我现在可实验的板卡有限，所以我想多征求一下分析意见再进行这种实验，还有有没有在缓慢增加负载的情况下mos出现超SOA的可能

t.t.lee

LV.5

2016-06-11 21:35

@123_meng

SOA 你才15A，不会有问题的，只可能是负载瞬间电流相当大才会。再说，你加了TI的控制芯片，本身就是为了过流短路保护的。我们用过50A都是用2个PMOS并联驱动的。所以你不用担心控制方式问题。

你的负载是电子负载吧？也有可能是电子负载有问题，你改用电阻负载测下25A看看。比如用100瓦的水泥电阻1R，2串4并，就是0.5R 800瓦，实际就会是12V 24A 不到300瓦。

123_meng

LV.1

2016-06-12 11:00

@t.t.lee

SOA你才15A，不会有问题的，只可能是负载瞬间电流相当大才会。再说，你加了TI的控制芯片，本身就是为了过流短路保护的。我们用过50A都是用2个PMOS并联驱动的。所以你不用担心控制方式问题。你的负载是电子负载吧？也有可能是电子负载有问题，你改用电阻负载测下25A看看。比如用100瓦的水泥电阻1R，2串4并，就是0.5R800瓦，实际就会是12V24A不到300瓦。

对，我用的是电子负载，但是电子负载的精度是可以保证的，用了很多年了