长歌行:
与最优的硅基MOSFET相比,氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。相比先进的硅基器件,当今商用化的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路的性能高出5至50倍。这个在性能方面的重大改进可推动全新应用的出现,在氮化镓技术推出之前,这是完全不可能实现的。然而,目前的eGaNFET及其它供应商所制造的氮化镓晶体管的性能仍然距离氮化镓器件理论上的性能极限达数个数量级。从将来的氮化镓学习曲线可看到,氮化镓与硅基器件的性能差异将会逐渐扩大,而且氮化镓器件将会继续推动全新应用的出现并改变各个最终市场。