功率器件的里程碑——英飞凌CoolGaN™功率器件测评

接下来再利用泰克的示波器MSO58自带的功率器件动态参数分析功能对英飞凌的CoolGaN™进行测量。

还是采用英飞凌原厂的这个半桥测试DEMO进行测量：

采用双脉冲法，用信号发生器设置脉宽为1uS,周期为2.5uS,脉冲次数为2次，示波器采用单次触发。

           

采用泰克MSO58示波器的功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN™的动态参数。

         

左下的测试提示Ic off是因为英飞凌的CoolGaN™完全没有反向恢复电流导致的，这也说明CoolGaN™是完全没有反向恢复电流和电荷的。即Qrr=0

另外，在CoolGaN™关断和开通状态下的动态参数在右下表格中罗列出来了，包括：trr,ton,toff,以及ID，ID_pk……等。

从结果中可以看出，基于英飞凌的CoolGaN™专用驱动1EDF5673K下的CoolGaN™ IGO60R070D1速度还是非常快的，而且完全没有反向恢复损耗。

今年好多厂家跟风推广GaN，好像不做GaN器件就落伍了。以前不知道是什么原因，看了这个帖子，有一点收获。其一，GaN禁带宽度大，击穿电压能做到很高，适合于高电压高功率应用；其二，它没有反向恢复，就能带来高效率。但帖子没讲GaN器件的不足之处，是否可以多介绍一下，这个器件一直没推广开来，一是成本，还有肯定是有一些缺点吧，哈哈，了解不多，请懂得人多分享一些。

现在gan越来越货了，Gan器件确实非常不错，英飞凌的gan更好，从参数看，测试参数很好，看了这个情况，发coolgan两个片子间距

好小啊，不知做测试有没有问题，这个器件管脚如何分布的，整体感觉蛮好，不知价格现在能不能让工程师接受。

这个coolgan最大能够支持多大电压电流，内阻最小能达到多少，这个未来能不能替代igbt，目前igbt有很多缺点，

coolgan能代替igbt，在再低压电源能够提高电源效率，提高开关频率，提高损耗，何时能够降低价格、

从上面看到的就是coolgan的优势，参数都蛮好，都是一些性能参数，不知电气参数如何，不如来个试用计划，

让工程师应用到板子，测测各种电气特性，更好的评估性能来，这样更好。

评估板号小巧，vgs好小啊，这样很好控制，怎么没有电路图，这样看着就更方便，这个芯片之间的间距好小，要是有1000V以上

会不会打火之类的问题，实际验证需要考虑更正耐受测试，更好更加体现coolgan的优势。

。。。上接第2帖。。。

接下来再来看看实测基于英飞凌的CoolGaN™专用驱动1EDF5673K下的CoolGaN™ IGO60R070D1工作波形

说明：

1通道为信号发生器注入的方波信号，频率2MHZ。

2、3通道为经过门电路转换后的相位差180度的PWM信号。

4、5通道1EDF5673K驱动IGO60R070D1的VGS电压波形。

6、7通道1EDF5673K驱动IGO60R070D1的IGS电流波形。

8通道为BUCK电感电流波形。

电路图如下：

测得的波形如下：

从波形中可以看出：

1EDF5673K输出给IGO60R070D1的驱动信号是包含负压的，而且这个负压并不是持续关断CoolGaN™的，而是等另一个管关断后会回升到0V来保持的，

这样一来，既避免因为DV/DT和DI/DT导致的干扰误动作，也进一步降低了关断维持的损耗，所需要的驱动电压很低。

在关断的时候会有一个比较大的负电流，也就是这个时候1EDF5673K在抽取IGO60R070D1控制端的电荷，其峰值电流接近-500mA,

这是为了保证管子可靠的关断，避免于互补管在开通瞬间出现直通。

其驱动峰值电流不到300mA，对于仅需要不到20mA就可以完全导通的IGO60R070D1来说，300mA的驱动电流已经非常大了，能实现更快的开通速率。

        CoolGaN™将成为实现更高频率、更高效率、更高功率密度电源的黑科技，

其优良的特性，包括无寄生体二极管、无反向恢复、可以双向导通，可以实现更多完美的拓扑以及更高频和高效的电源设计。

还具备更好的抗干扰性能和更低的开关损耗。配合英飞凌的CoolGaN™专用驱动1EDF5673K可以大大的简化设计。