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氮化镓材料的功率器件具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等特点,特别是基于GaN的AlGaN/GaN结构具有更高的电子迁移率,使得GaN器件具有低的导通电阻、高的工作频率,能满足下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求。随着GaN衬底材料进步,以及GaN器件本身所具有的优良性能,异军突起的GaN功率半导体具有极其广阔的应用前景,相信在不久的将来GaN功率器件会大量应用于军事和民用的各个领域,使其成为高性能低成本功率管理系统解决方案。