[图片]搞定了，是使能端的问题，MCU低压复位了，低电压下运行不断的重启动。

很多C语言都有介绍这个用法的

这个并不存在哪个好，哪个不好的问题，关键是要谐振在陶瓷片的固有的机械频率上；另外我上面说的并联谐振低是错误的，说反了，应该是并联谐振频率高，串联谐振频率低。没有人在超声波上用软开关驱动吗？

说明下，在上图中，我单片机只输出高的电平部分，低电平部分是由陶瓷片特性决定的问题是现在陶瓷片静态电容影响，造成在低电平阶段周期过长。工作在了并联谐振上了。串联谐振频率高，并联谐振频率低。陶瓷片的电路模型中，如果电阻为0，那么固有振荡频率就等于串联谐振频率，为阻抗最小时的频率；并联谐振频率等于阻抗最大时的频率。

你的第一图明显是陶瓷片工作在串联谐振上，陶瓷片串联选频作用，利用两个三级管的相位实现自激振荡。

实现在MOS管的低电压开通就是ZVS了，电磁炉的单管谐振就是这样的唯一不同的是电磁炉的谐振是由线盘和谐振电容决定的，而陶瓷片现在本身的参数不可变，应该是工作在了并联谐振上了，我现在单片机是在MOS管输出低电压才打开的，就是通过MOS管的D极电压送比较器比较后完成的，每次在电压的时候打开，振荡频率是由陶瓷片决定的。如果我用单片机输出一个固定的陶瓷片谐振频率，存在一个问题就是陶瓷片本身的固有频率有个偏差，每一个不一样，这样频率就不能跟踪需要调整，而且开通的时候，不是在MOS管电压低的时候开通，造成很大的损耗。我就想用陶瓷片本身的特性来决定频率，实现频率的跟踪，同时实现准谐振，降低功耗。现在问题是这样实现ZVS功能的话，频率并不工作在串联谐振上了，而是并联谐振上了，就是那个静态电容影响的，实际频率比陶瓷片的固有频率低，造成不能雾化。看一个图[图片]

[图片]是这样的驱动电路，检测MOS管的电压，在电压低的时候开通，实现ZVS，但现在频率是偏小的，实现不了雾化我现在频率不是由单片机输出的信号决定的，单片机只负责输出一个脉宽高电平，每到低电压时，又输出一个高电平，最终的频率是由陶瓷片自身的特性决定的，实现了ZVS功能，但就是工作频率不对，低于113KHZ,好像工作在并联谐振频率上了，陶瓷片的电路模型中的静态电容参与其中了。

我的超声雾化器驱动是采用三脚电感，用单片机输出一个脉冲后，谐振片自动振荡的频率怎么低于自谐振频率呢？是电感量影响到了压电陶瓷片固有频率了吗？原理是采用了电磁炉的单管谐振原理，单片机输出脉冲的高电平后关断，等待开关管电压下降到0V才开通，实现ZVS但振荡的频率不在压电陶瓷片的固有频率上，要低很多，我的陶瓷片是113KHZ的，实际振荡是74KHZ我想陶瓷片应该是工作在了并联的谐振频率上了，要工作在串联谐振上，实现ZVS，该怎么改善好？我上面做的目的是想做成ZVS功能是开关控制，减少开关损耗。[图片]

搞电磁炉的高手呢？希望指点一二自己顶起来！

加上锅后的等效电感为67.6uH,等效电阻为2.3Ω 以上这个值是怎么取得的？