Aaronbo：
开关变换器中MOS管的开关速度实际上是受驱动电路的驱动能力影响，很少会因驱动电路的驱动能力过剩而MOS管的速度或自身特性限制了开关速度。MOS管的电荷量是影响开关速度的最主要因素。例如100nC的栅极电荷用100mA的电流将其充满或放尽，需要的时间为1us，而30nC的电荷则仅需要300ns的时间。或者是在相同的驱动时间，则驱动电流可以下降为30mA。实际上决定MOS管的开关速度的因素是栅-漏电荷（Qgd），也就是MOS管从导通转换到关断或从关断转换到导通过程中越过“放大区”所需要的电荷“米勒电荷”。以IRF740系列的MOS管为例，740:32nC;740A:16nC。可以看到即使同一型号，经过改进后栅极电荷可以减小。但是如果不是一代的MOS管，则栅极电荷较小的更明显，以IRFP450和ST公司的STW14N50相比，结果是前者的栅极电荷75nC,而后者则为28nC,几乎是1/3。这样或者对驱动能力的要求随之降低到1/3或开关速度快2倍。由此可见，在选择主开关时，应尽可能选择新品。