因为碳化硅和氮化镓材料的功率器件推出，基于宽禁带半导体材料的功率管作为一种更先进的功率管正在被广泛的应用，其速度快，频带高，与硅等传统的半导体材料相比，它能够让器件在更高的饱和电子迁移率、频率和电压下运行。硅的带隙是1.17电子伏特，碳化硅是3.263电子伏特，氮化镓是3.47电子伏特。

氮化镓功率器件确实性能十分优越，超快的开通速度，超低的开通管段损耗，这些卖点都很吸引人

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