厂商FAE回复说是bodydiode耐受能力差，烧开路了。此料不适用于此应用。

上下管分别是PMOS和NMOS，分开驱动是因为芯片出脚就分上下管驱动。线路实际工作正常的。只是其中一个替代料上电就冒烟，不懂是哪个参数选不对。试着在下管DS间加二极管就不会烧。

并且下管有bodydiode，应该会在下管未导通时把负压钳制住。不过量到的替代料波形就没有把负压钳制住。

上管用的是PMOS，下管用的NMOS。下管烧掉替代料也是用的NMOS，上管没有问题。只是这个替代料turnon/offdelaytime较大。可是从抓到的Vin3.3V drop时间点，不像是turnoffdelaytime过大造成的。并且有较大的负压。