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推挽升压开机瞬间MOS的VDS的尖峰

这次的逆变器,发现开机经常烧坏推挽的MOS,最后发现在开机时候MOS的VDS会有很大尖峰电压,正常稳定工作了就没有尖峰,初步分析是开机瞬间由于断续的问题,但是也高的特别离谱超过了MOS耐压很多,大家有什么好的改善方法分享下,甚谢!

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2012-10-25 18:28

老兄,还在推挽啊!!

我刚刚开始弄推挽的时候,那是几年前的事情了,老是炸坏管子,原因就是你上头说的那个一摸一样的问题,开机的时候VDS烧掉MOSFET。

为了这个问题,我做了N多试验,最后发现有一个方式可以很好的解决这个问题。

开机的时候,VGS的驱动波形一定要慢,这个时候因为是软启动过程,占空比很小的,所以这个时候VGS的波形可以放的非常缓慢,此时VDS电压会平稳的上升,而不会有很大的尖峰。等过了这个时间段,就可以正常的开关MOSFET了,

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2012-10-25 19:08
@lizlk
[图片]老兄,还在推挽啊!!我刚刚开始弄推挽的时候,那是几年前的事情了,老是炸坏管子,原因就是你上头说的那个一摸一样的问题,开机的时候VDS烧掉MOSFET。为了这个问题,我做了N多试验,最后发现有一个方式可以很好的解决这个问题。开机的时候,VGS的驱动波形一定要慢,这个时候因为是软启动过程,占空比很小的,所以这个时候VGS的波形可以放的非常缓慢,此时VDS电压会平稳的上升,而不会有很大的尖峰。等过了这个时间段,就可以正常的开关MOSFET了,
张工的方法好!!
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YY2010
LV.4
4
2012-10-26 00:00
@lizlk
[图片]老兄,还在推挽啊!!我刚刚开始弄推挽的时候,那是几年前的事情了,老是炸坏管子,原因就是你上头说的那个一摸一样的问题,开机的时候VDS烧掉MOSFET。为了这个问题,我做了N多试验,最后发现有一个方式可以很好的解决这个问题。开机的时候,VGS的驱动波形一定要慢,这个时候因为是软启动过程,占空比很小的,所以这个时候VGS的波形可以放的非常缓慢,此时VDS电压会平稳的上升,而不会有很大的尖峰。等过了这个时间段,就可以正常的开关MOSFET了,

是不是加大软启动电容

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2012-10-26 08:43
@YY2010
是不是加大软启动电容

哎,项目开始说紧,弄个熟悉的推挽可以快点出产品。

看来以后还是用移向全桥算了,即使用推挽还是用单片机写软件控制。这次用了494我都郁闷到极点了。

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2012-10-26 08:45
@lizlk
[图片]老兄,还在推挽啊!!我刚刚开始弄推挽的时候,那是几年前的事情了,老是炸坏管子,原因就是你上头说的那个一摸一样的问题,开机的时候VDS烧掉MOSFET。为了这个问题,我做了N多试验,最后发现有一个方式可以很好的解决这个问题。开机的时候,VGS的驱动波形一定要慢,这个时候因为是软启动过程,占空比很小的,所以这个时候VGS的波形可以放的非常缓慢,此时VDS电压会平稳的上升,而不会有很大的尖峰。等过了这个时间段,就可以正常的开关MOSFET了,
张工软启动我们做电路首选是会考虑的,延时了很久,已经发现不是软启动的问题了,增加软启动时间还是不改善这个VDS的尖峰。
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2012-10-26 10:33
@zhanghuawei
张工软启动我们做电路首选是会考虑的,延时了很久,已经发现不是软启动的问题了,增加软启动时间还是不改善这个VDS的尖峰。

不是的,老兄,你弄错了,我说的不是增加软启动的时间,软启动是需要,但是对此没有多少用处的。VDS尖峰该大还是会很大的。

我的意思是在软启动的这个过程中,将驱动不要搞得那么太给力了,而是要尽量的软一些,就等于说,PWM波形上升沿不要那么快,而是让他缓一点,此时VDS尖峰可以达到一个非常理想的范围内,一点都不会超过2倍VCC电压的。你试试,这是我原来亲自试验过的最有效的方法。

过来软启动之后,立马将驱动PWM尽量搞的给力一点,此时就不用担心效率问题了。此时VDS也不会过冲了。


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2012-10-26 10:54
@lizlk
不是的,老兄,你弄错了,我说的不是增加软启动的时间,软启动是需要,但是对此没有多少用处的。VDS尖峰该大还是会很大的。我的意思是在软启动的这个过程中,将驱动不要搞得那么太给力了,而是要尽量的软一些,就等于说,PWM波形上升沿不要那么快,而是让他缓一点,此时VDS尖峰可以达到一个非常理想的范围内,一点都不会超过2倍VCC电压的。你试试,这是我原来亲自试验过的最有效的方法。过来软启动之后,立马将驱动PWM尽量搞的给力一点,此时就不用担心效率问题了。此时VDS也不会过冲了。
张工你说的方法如何实现,给点建议?494硬件出的PWM怎么能让开始启动输出的驱动上升沿慢,启动后变快,实现起哪种解决方法好?(我有个小思路,后面的驱动电阻改变值,也是很麻烦啊)
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2012-10-26 11:10
@zhanghuawei
张工你说的方法如何实现,给点建议?494硬件出的PWM怎么能让开始启动输出的驱动上升沿慢,启动后变快,实现起哪种解决方法好?(我有个小思路,后面的驱动电阻改变值,也是很麻烦啊)

当时我设计过这个电路,现在我估计找不到了,因为最后我并没有用这个。

具体是这样的,PWM经过一个电容到地,一般到正常的驱动图腾,这个电容会随着PWM的反复充电,会慢慢的抬升电位,好像还要加个二极管去隔离下,还要保证每次关机之后,这个电容的电要尽快的放掉。这个电容就是用来延缓PWM的上升速度的。

时间太久,我忘记了,好像还有三极管做的一个控制。如果有个单片机,估计这个就非常好解决了。还是建议用单片机一个IO做这个的控制。

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zhanghuawei
LV.9
10
2012-10-26 15:00
@lizlk
当时我设计过这个电路,现在我估计找不到了,因为最后我并没有用这个。具体是这样的,PWM经过一个电容到地,一般到正常的驱动图腾,这个电容会随着PWM的反复充电,会慢慢的抬升电位,好像还要加个二极管去隔离下,还要保证每次关机之后,这个电容的电要尽快的放掉。这个电容就是用来延缓PWM的上升速度的。时间太久,我忘记了,好像还有三极管做的一个控制。如果有个单片机,估计这个就非常好解决了。还是建议用单片机一个IO做这个的控制。
这个是实现起来很麻烦,早上一气之下,缓启时间增加几倍,貌似问题解决了。
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2012-10-26 15:15
@zhanghuawei
这个是实现起来很麻烦,早上一气之下,缓启时间增加几倍,貌似问题解决了。[图片]
问题解决了,好哦
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zhanghuawei
LV.9
12
2012-10-26 16:29
@电源网-fqd
[图片]问题解决了,好哦[图片]
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westkinger
LV.4
13
2012-10-27 13:14
@lizlk
当时我设计过这个电路,现在我估计找不到了,因为最后我并没有用这个。具体是这样的,PWM经过一个电容到地,一般到正常的驱动图腾,这个电容会随着PWM的反复充电,会慢慢的抬升电位,好像还要加个二极管去隔离下,还要保证每次关机之后,这个电容的电要尽快的放掉。这个电容就是用来延缓PWM的上升速度的。时间太久,我忘记了,好像还有三极管做的一个控制。如果有个单片机,估计这个就非常好解决了。还是建议用单片机一个IO做这个的控制。
看来启动和保护都要软。
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松叶
LV.5
14
2014-12-07 21:18
@westkinger
看来启动和保护都要软。
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dy-p5A6Bd6K
LV.1
15
2022-05-12 10:35

前辈,有没有其他办法解决掉这个启动Vds尖峰问题?

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dy-12bAHCb3
LV.1
16
06-20 16:02

尖峰电压用一般的RC吸收电路即可,前提是场管一定要是正品。用国产的管子做前级,后级带个串击电机,管子很快就击穿

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