这次的逆变器,发现开机经常烧坏推挽的MOS,最后发现在开机时候MOS的VDS会有很大尖峰电压,正常稳定工作了就没有尖峰,初步分析是开机瞬间由于断续的问题,但是也高的特别离谱超过了MOS耐压很多,大家有什么好的改善方法分享下,甚谢!
推挽升压开机瞬间MOS的VDS的尖峰
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@lizlk
[图片]老兄,还在推挽啊!!我刚刚开始弄推挽的时候,那是几年前的事情了,老是炸坏管子,原因就是你上头说的那个一摸一样的问题,开机的时候VDS烧掉MOSFET。为了这个问题,我做了N多试验,最后发现有一个方式可以很好的解决这个问题。开机的时候,VGS的驱动波形一定要慢,这个时候因为是软启动过程,占空比很小的,所以这个时候VGS的波形可以放的非常缓慢,此时VDS电压会平稳的上升,而不会有很大的尖峰。等过了这个时间段,就可以正常的开关MOSFET了,
张工软启动我们做电路首选是会考虑的,延时了很久,已经发现不是软启动的问题了,增加软启动时间还是不改善这个VDS的尖峰。
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@zhanghuawei
张工软启动我们做电路首选是会考虑的,延时了很久,已经发现不是软启动的问题了,增加软启动时间还是不改善这个VDS的尖峰。
不是的,老兄,你弄错了,我说的不是增加软启动的时间,软启动是需要,但是对此没有多少用处的。VDS尖峰该大还是会很大的。
我的意思是在软启动的这个过程中,将驱动不要搞得那么太给力了,而是要尽量的软一些,就等于说,PWM波形上升沿不要那么快,而是让他缓一点,此时VDS尖峰可以达到一个非常理想的范围内,一点都不会超过2倍VCC电压的。你试试,这是我原来亲自试验过的最有效的方法。
过来软启动之后,立马将驱动PWM尽量搞的给力一点,此时就不用担心效率问题了。此时VDS也不会过冲了。
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@lizlk
不是的,老兄,你弄错了,我说的不是增加软启动的时间,软启动是需要,但是对此没有多少用处的。VDS尖峰该大还是会很大的。我的意思是在软启动的这个过程中,将驱动不要搞得那么太给力了,而是要尽量的软一些,就等于说,PWM波形上升沿不要那么快,而是让他缓一点,此时VDS尖峰可以达到一个非常理想的范围内,一点都不会超过2倍VCC电压的。你试试,这是我原来亲自试验过的最有效的方法。过来软启动之后,立马将驱动PWM尽量搞的给力一点,此时就不用担心效率问题了。此时VDS也不会过冲了。
张工你说的方法如何实现,给点建议?494硬件出的PWM怎么能让开始启动输出的驱动上升沿慢,启动后变快,实现起哪种解决方法好?(我有个小思路,后面的驱动电阻改变值,也是很麻烦啊)
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@zhanghuawei
张工你说的方法如何实现,给点建议?494硬件出的PWM怎么能让开始启动输出的驱动上升沿慢,启动后变快,实现起哪种解决方法好?(我有个小思路,后面的驱动电阻改变值,也是很麻烦啊)
当时我设计过这个电路,现在我估计找不到了,因为最后我并没有用这个。
具体是这样的,PWM经过一个电容到地,一般到正常的驱动图腾,这个电容会随着PWM的反复充电,会慢慢的抬升电位,好像还要加个二极管去隔离下,还要保证每次关机之后,这个电容的电要尽快的放掉。这个电容就是用来延缓PWM的上升速度的。
时间太久,我忘记了,好像还有三极管做的一个控制。如果有个单片机,估计这个就非常好解决了。还是建议用单片机一个IO做这个的控制。
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