如题,此问题经我调查业界包含台达,光宝等均有此现象发生,不良率在100-200PPM 左右
我司是专业台系电源生产商,目前经确认的是OB ,IWATT,通嘉,以及立錡还有绿达的PWM IC 均有生产(主要是反激式架构)
但是产线每个机种均存在多少不一从100-200ppm 的炸机不良,等到炸完后再来分析视乎5年以来没有任何有效的实际对策
是不是真的这个问题无法解决,目前我个人分析到的几个方面真的无法提供有效的对策
1. 开机炸机,除了测试开机的mosfet 的spike外,以及变压器饱和之外,目前无有效对策
2.短路保护炸机,除了测试mopsfet 的spike 以及计算mosfet Eas 重复雪崩能量之外视乎无任何对策
还有测试
3.MOS是否完全工作在导通状态(也可以通过波形来计算此时MOS管的功耗),正常状态下,短路时开关管要完全导通且不能有大小波-此类问题可调整供电电容或驱动电阻。
请求高手解答
本人是foxlink apple BU senior quality engineer