电源概况：220V交流输入，整流供电，反激输出为5V/2A，初级绕组RCD吸收，MOS为RC吸收。输出为4500UF电解电容和100NF的MLCC滤波。
问题描述：输出侧可测试到500MV左右的毛刺，频率同开关频率，毛刺出现在MOS开通时刻。采用了下列办法处理，效果均不理想，请大侠指点。
1. 增大初级地和次级地间Y电容（1NF改为4.7NF），无明显改观。
2. 驱动电阻从50欧姆增大到100欧姆，效果甚微。
3. 调整整流D吸收，使尖峰二极管尖峰从15V降为5V，无影响。
4. 输出加共模电感，毛刺变大。
5. 去掉MOS的RC吸收，输出出现MOS关断时刻的毛刺。开通时刻无变化。
6. 变压器初级感量从2.4MH改为1.2MH，毛刺加重。
分析如下：由于毛刺产生于开通时刻，因此，判断此毛刺和MOS的RCD吸收无关，产生的主因应该是由于二极管反向恢复造成，但是调整二极管RC吸收并无效果。观测MOS电流采样电阻上的波形，可见开通时刻有大的毛刺，是否可能是变压器初级杂散电容过大引起的呢？变压器绕组结构为两初级包次级，三层绝缘胶带。
疑问：目前调试失去方向，感觉可能的原因都有调试，却都无效果。用示波器探头挂其地线，外放于测试点附近，无大的干扰耦合。应该可以判断不是测试问题。请问各位大侠，对于这种毛刺，还有其他可能的原因么？
另外，布PCB板的时候，哪些方面处理不好可能导致这种毛刺出现么？
