BP3122缺点如下
1、此芯片为双芯片封装:控制+MOS管=BP 3122,在控制及MOS管之间需要打五根线,最后才会将控制+MOS封成SOP8,组成了:BP 3122。双芯片封装存在很大的风险,因芯片与芯片之间要打线,在封装的制程工艺上很复杂、要求相当高,经常存在打线不牢,或者轻重不一,在终端客户使用过程中经过热涨冷缩,引起芯片与芯片之间管脚脱层,直接影响芯片的可靠性及良率,双芯片封装还会增加炸机的风险。
2、MOS管的最高耐压值为:650V(对变压器要求严格)。
3、恒流范围窄,不能带单颗红色灯。
4、会有灯闪烁的问题,需要在原副边增加Y电容解决该问题!
SM7523优点如下
1、我司SM7523是单芯片的封装,对封装制程工艺要求低、简单、可靠性好!
2、我司SM7523是700V高压MOS工艺,耐压值可以做到700V以上,我司的成测指标是:730V的标准。
3. 芯片采用高压内部自启动电路,解决外部高压电阻启动的弊端(如:失效、炸机、高压放电)等不稳定的因素。
4. 芯片内部VDD智能供电电路,解决VDD外部供电问题,对电容的要求不高(如:电容耐压、容值、ESR\ESL)。
5、我司SM7523可以做到1-3*1W、3*1W,不管什么颜色的灯珠都可以兼容。
6、我司SM7523在3*1W中,效率高达80%。