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求助,推挽升压,为什么每次都会击穿mosfet的GD端????

参考张工的1500w,自己做了个推挽前级,但是为什么每次上电就会把irf1404的GD端击穿,驱动电阻直接烧黑??


 

驱动信号是单片机提供,输入TPL250转换成12V

 

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jiucheng
LV.3
2
2013-01-04 14:58
说一下,仅供参考。一,1404管耐压低了一些。二,电路中吸收保护部分没起作用。
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daiyue191
LV.2
3
2013-01-04 15:07
@jiucheng
说一下,仅供参考。一,1404管耐压低了一些。二,电路中吸收保护部分没起作用。

你好,这个电路中没有加吸收保护吧?如果要加的话加什么样的比较好。电路图是参考的1500w的..。

您对只击穿GD,而GS DS没有被击穿有什么想法吗?

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2013-01-04 19:12
@daiyue191
你好,这个电路中没有加吸收保护吧?如果要加的话加什么样的比较好。电路图是参考的1500w的..。您对只击穿GD,而GSDS没有被击穿有什么想法吗?
估计是万能板的吧 不然不会出现这个问题 万能板有时候干扰是会出现很奇怪的现象的
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pppyyy02
LV.4
5
2013-01-04 20:32

朋友,你说驱动是由单片机提供,那么你的程序是否加入了死区时间?未加必损坏一管无疑

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251683652
LV.6
6
2013-01-06 20:17
怪异
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daiyue191
LV.2
7
2013-01-08 09:19
@pppyyy02
朋友,你说驱动是由单片机提供,那么你的程序是否加入了死区时间?未加必损坏一管无疑
你好,推挽我占空比最大不到95%所以应该不需要死区的.
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daiyue191
LV.2
8
2013-01-08 09:20
@laijinsong
估计是万能板的吧不然不会出现这个问题万能板有时候干扰是会出现很奇怪的现象的
你好 真如你所说用的万能板子,问题很怪异!
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pppyyy02
LV.4
9
2013-01-08 09:45
@daiyue191
你好,推挽我占空比最大不到95%所以应该不需要死区的.

你的语句有问题。

1.既然叫推挽,一管导通时,另一管截止,一个周期内最大的程度应该是各导通一半的时间,亦即是每管的占空比是最大也是50%,何来占空95%之说?难道你做的推挽两管导通时间都不同的吗?或者说你两管相同的,占空比加起来不超过95%?都不重要了,无论你如何,我所说的死区指的是一个管截止后要延时一定的时间,另一管才能导通。这段时间几us足以。不需要死区的说法是错误的,不过变压器设计在2KHZ以下推挽频率下不加延时语句也不会产生烧管的现象,但不意味着死区不存在,而是低频率的驱动时间自身化解了上下场管共通的避免时间了。像你如果搞几十KHZ设计的磁芯的话,不加死区时间意味着实验的失败。

2.但单片机上电时刻是不稳定的,IO口都有导通的现象,所以单片机IO口应该经过门电路和阻容的延时达到避免上电时IO口同时导通的现象。

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wentao0100
LV.2
10
2013-04-28 12:16
不推荐使用单片机直接驱动H桥。1,单片机IO口有时会工作不稳定(单片机本身质量问题,比如复位时,IO口状态不一致),2,单片机调试时如果程序出错将直接将mos管驱动顺序弄错,直接将左臂或者右臂的上下两管直接导通,导致短路。另外你的mos驱动电路设计不正确,请参照H桥驱动电路重新设计。
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