求助，推挽升压，为什么每次都会击穿mosfet的GD端？？？？

你好，这个电路中没有加吸收保护吧？如果要加的话加什么样的比较好。电路图是参考的1500w的..。

您对只击穿GD，而GS DS没有被击穿有什么想法吗？

朋友，你说驱动是由单片机提供，那么你的程序是否加入了死区时间？未加必损坏一管无疑

你的语句有问题。

1.既然叫推挽，一管导通时，另一管截止，一个周期内最大的程度应该是各导通一半的时间，亦即是每管的占空比是最大也是50%，何来占空95%之说？难道你做的推挽两管导通时间都不同的吗？或者说你两管相同的，占空比加起来不超过95%？都不重要了，无论你如何，我所说的死区指的是一个管截止后要延时一定的时间，另一管才能导通。这段时间几us足以。不需要死区的说法是错误的，不过变压器设计在2KHZ以下推挽频率下不加延时语句也不会产生烧管的现象，但不意味着死区不存在，而是低频率的驱动时间自身化解了上下场管共通的避免时间了。像你如果搞几十KHZ设计的磁芯的话，不加死区时间意味着实验的失败。

2.但单片机上电时刻是不稳定的，IO口都有导通的现象，所以单片机IO口应该经过门电路和阻容的延时达到避免上电时IO口同时导通的现象。