能具体的说明一下吗
他分析是GS要假电阻，我这有10k的电阻啊，是其他原因吗
你是只断了15V辅助电源？信号还有？
如果是的话：
我觉得会不会是因为C10内部存的电荷在刚断电的时候放电的原因？
输入信号都已经断了,也就是光藕前端没有输入了。但是，直接断15V，瞬间发现6交有2v左右脉冲，导致mos开通
当你断掉辅电，也就是间接断掉快速泄放回路，单纯靠并联的10K电阻回路泄放，导致MOS电荷不能及时泄放，而DS仍有较大电流流过，那么G相对S极有个电压也不足为奇了。再则由于关断的时间延长，MOS管内部多重因素的效应最终导致损坏。
其实把这思想用在分析IGBT也一样，IGBT就是一个元件，制造出来本身就有其自身的特性。虽然本人也不能精确知道微观原因。但宏观也是知道一些，综合IGBT的简介，IGBT由MOS管和PNP管复合，MOS管在前,PNP在后。当功率管的瞬间电流越大，驱动的保护要求就越明显。因此也就是为什么IGBT既要驱动而最好要负压来达到加速关断的效果来保证，又要过流保证等多重保证的原因。
我回答的是他搞损坏时的状态，不是他做没有输入时的状态。
而当时他未考虑在有输入时突断辅电的影响，而是怀疑光耦，才有他另一次的测试。对于他另一次测试我不做解释，并且他也没有明确地体现出他另一次测试时的各种次序，条件。
