ＲＣＤ吸收回路，参数如何设定？电阻温度超高，求高人指教

下面Ｒ２是　输入电流　过流检测电阻

103太大了。估计2200P足以。

个人觉得电容低端直接接地好，不然会干扰ISENSE。

这种吸收电路,用103太夸张了.

以生产了　２Ｋ多片，　现在Ｒ１用的是　３００欧，　老化不到３０秒，有一固白烟出来，用　３欧就不会，

用3欧姆的话,你mos不热?

ＭＯＳＦＥＴ是两个２６１１并在一起，温度很高，有一个风扇在吹

这个电容真不需要这么大,几百PF就足够了

用３Ｋ　肯定是马上烧掉的，现在用３００欧，电阻两端压降有　１２Ｖ，　用３０欧，就只有１.４Ｖ，　用３欧，只有０.１Ｖ不到　

你有没有看过MOS管上DS的波形？R1取不同的值，VDS的波形有什么不同？

 你的接法是不是有问题啊？个人感觉

同感...

楼主那样接R1会一直有电流流过的

不明白楼主为何要这样接

他的接法是没什么问题,只不过取值有大大的问题.

这个接法，二极管像是多余的

二极管可以加强吸收尖峰的效果

你发一个完整的电路出来？

你的吸收电容太大了，电容吸收的能量在开关管导通时通过MOS的导通电阻和R1串联进行释放。R1取值大的话，R1上分得的电压高，所占的损耗大。R1取值小的时候，MOS上所占的损耗大，只是你的MOS散热好，不是很明显而已。