开关电源中 开关变压器 的气隙 有何作用？

开气隙的作用和目的：第一，能使磁芯的等效磁路长度增加，减少剩余磁感应强度；第二，虽然不能对磁通的直流成分进行完全修正，但是能使磁通的直流成分基本维持不变，因气隙增加了磁路中的磁阻，在磁动势一定时，可以控制磁芯的磁通密度，从而平衡直流成分的影响

还有，大部分的能量存储在气隙中：气隙的磁阻比磁芯大得多，导致大部分磁动势都降落在气隙上，气隙跟磁通密度成反比

中柱开气隙，可以减小电感量，增加了漏感，会出现电压尖峰，使得Mosfet的电压应力加大

那请问一下：上述例子中，增加了气隙，输出功率是如何变化的？是变大还是变小？

非常谢谢！！

如果均能正常工作，气隙越大，电感量越小，能输出的功率自然就越大。

你好！正如这样所说，如果均能正常工作，气隙越大，电感量越小，能输出的功率自然就越大。

那我想问一下：如果想让 气隙大的变压器（二号变压器） 输出 与气隙小的变压器（一号变压器） 输出一样的功率，应该通过什么方式来实现？ 比如 通过调整开关频率 能实现吗？如果能，那么开关频率应该调高 还是降低？

非常谢谢！！

在变压器温升允许的情况下，频率越大，输出功率的能力越大。

理论上说，变压器存储的能量就是B*H*f的积分，对变压器来说，Bmax是固定的。气隙越大，H就越大，存储的能量就越大。频率越大，存储的能量就越大。

那按照你的讲解，如果我想让 气隙大的变压器（二号变压器） 输出 与气隙小的变压器（一号变压器） 输出一样的功率， 那么，我就要降低开关频率，这样就可以实现了，是吗？

非常谢谢！！

好吧，理论上可以这么理解，实际影响因素很多，要仔细计算。

非常谢谢你，新月GG

在反激电路中，存在这样的关系：输入电压越低时，开关占空比越大，随着输入电压的升高，开关占空比会减小。

当面临这种情况：输入电压较低时（比如输入电压为100V），开关占空比就比较小（比如5%）。这样的话，随着输入电压的升高，开关占空比 会逐渐减小。

问题是这样的：开关占空比过小，会产生什么问题？如果发生上述情况，在变压器不改变的情况下，外围电路的元件改如何修改？

非常谢谢！!

要按照最恶劣条件下去设计占空比啊，即低压输入满载输出时占空比设计到接近0.5（也可大于0.5，要看芯片，以及主电路工作状态），这样高压输入满载输出时占空比不会太小。

占空比能否过小，要看芯片的极限开关频率和开关速度。根据芯片资料选择合适的最小占空比。假如驱动脉冲宽度小于开关延迟时间，那就有问题了。

我当初也是按照这种情况去设计的。但现在元件都安装好之后，我去进行测量。发现导通的时间特别短，占空比太小。

不清楚是因为变压器的问题还是其他问题？因为变压器绕制的气隙 比我要求的气隙 大。

现在想通过更改外围电路 来进行改善。请指导！！

非常谢谢！！

你现在占空比小的具体条件是什么？比如输入电压、输出电压、输出电流、开关频率、占空比、变压器匝比、原边电感量 各是多少？

我最初的设计值是：

我使用UC2842作为开关IC。再进行变压器设计时，我考虑的数值是：最大占空比48%，输入电压为100V，总输出最大功率为25.8W（5V输出3.6W,+15V输出4W等等），开关频率为100KHZ,使用TDK 的PC47 EI25-Z 作为磁芯。

最终我得到的设计值是：原边匝数为78，原边最小电感量为355uH. +5V 绕了5圈。

但现在实际测量导通的时间很短，不足1us.

请进行讲解！

非常谢谢！！

理论计算如下，如果实际和计算不符合，就要去找找原因了。

DCM flyback:

Ug=Ui*(2^0.5）

n=No/Ni=5/78

Uor=Uo/n=5V/(5/78)=78V

Mr=Uor/Ug

Mr=d/(1-d)　　=>　　d=1/((1/Mr)+1)

d*Ts=d/fs

根据以上：

当Ui=100V是，d=0.36，d*Ts=3.6us

当Ui=220V是，d=0.20，d*Ts=2.0us