电源专用!

看不到啊

中国南科集团应用于开关电源高反压(600V)功率POWER MOSFET系列
广泛应用于开关电源,能耐600V以上冲击电压的功率POWER MOSFET系列产品过去全都是由国外进口,或是由外国提供芯片而在国内封装.
中国南科集团有我国华南地区唯一的6英寸芯片生产线,同时集团本身更拥有由芯片设计、芯片制造及芯片测试与封装等完整的产业链,加上本集团创办人旅美台胞吴纬国博士是台湾新竹科学园区及IC产业界的先驱,具有逾25年POWER MOSFET的研发及生产经验,在其亲自带领下,经本集团近三年的不懈努力,近已成功开发并推出一系列由0.3A(11.5欧姆)至7.0A(0.95欧姆)能耐600伏高压的功率POWER MOSFET三极管,其产品性能与美国FAIRCHILD及欧洲意法半导体同类型产品性能相同,按照功率的不同要求及是否需用贴片式组装可封装在TO-251/252及TO-220/263等四种封装型式内.
此系列产品的规格详见如下表:
型号 耐压 漏电   栅极漏电   内阻  开启电压  VSD      可替代产品
(V) (600V) (<0.1μA)   (欧姆)   (V)   (V)  FAIRCHILD  意法半导体
NK1N60   600 100μA ±30V 11.5 2~5   2     FQN1N60C    STN1NK60Z
NK2N60   600 100μA ±30V 4.7 2~5   2.7 FQP2N60    STP3NK60Z
NK3N60   600 100μA ±30V 3.6 2~5   2.7 FQP3N60    STP3NK60Z
NK4N60   600 100μA ±30V 2.2 2~5   2.7 FQP4N60    STP4NK60Z
NK5N60   600 100μA ±30V 2.5 2~5   2.7 FQPF5N60C   STP4NK60Z
NK6N60   600 100μA ±30V 2 2~5   2.7 FQP6N60C    STP5NK60Z
NK7N60   600 100μA ±30V 1 2~5   2.7 FQP7N60    STP8NM60
NK8N60   600 100μA ±30V 1.2 2~5   2.7 FQP8N60C    STP8NM60
NK9N60   600 100μA ±30V 0.95 2~5   2.7    ——    STP9NK60Z
中国南科集团能耐600V高压冲击POWER MOSFET系列产品的推出,标志着我国在高压POWER MOSFET的技术领域内已掌握核心技术,并可完全取代进口同类型产品,填补了我国同
类产品之空白,更将对我国开关电源产品内的关键零件的国产化起到一定的贡献.

顶,全力支持!!

全力支持,
支持中国IC,中国南科同您一起努力!!

支持一下国货!
不过,Rds还有待提高啊!
请问一下有能够替代COOLMOS的吗?比如47N60C3.

RDS可以根据需要来做吧,这样也可以节省成本啊
我们不可能和人家国外做一样的产品吧!!!

Rds定做,恕我无知,第一次发现这个也可以定做.
你可以向大部分设计师咨询,他们基本上可以直接告诉你,Rds越小越好,只是限于理论,限于技术差距,限于加工工艺和材料限制,国内的还有很大的一段差距.

是的,RDS是越小越好,但是成本我们也要考虑,谢谢支持,

国内 和国外差距肯定是有的,但我们也在努力中,!!