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@王怡文
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中国南科集团应用于开关电源高反压(600V)功率POWER MOSFET系列
广泛应用于开关电源,能耐600V以上冲击电压的功率POWER MOSFET系列产品过去全都是由国外进口,或是由外国提供芯片而在国内封装.
中国南科集团有我国华南地区唯一的6英寸芯片生产线,同时集团本身更拥有由芯片设计、芯片制造及芯片测试与封装等完整的产业链,加上本集团创办人旅美台胞吴纬国博士是台湾新竹科学园区及IC产业界的先驱,具有逾25年POWER MOSFET的研发及生产经验,在其亲自带领下,经本集团近三年的不懈努力,近已成功开发并推出一系列由0.3A(11.5欧姆)至7.0A(0.95欧姆)能耐600伏高压的功率POWER MOSFET三极管,其产品性能与美国FAIRCHILD及欧洲意法半导体同类型产品性能相同,按照功率的不同要求及是否需用贴片式组装可封装在TO-251/252及TO-220/263等四种封装型式内.
此系列产品的规格详见如下表:
型号 耐压 漏电 栅极漏电 内阻 开启电压 VSD 可替代产品
(V) (600V) (<0.1μA) (欧姆) (V) (V) FAIRCHILD 意法半导体
NK1N60 600 100μA ±30V 11.5 2~5 2 FQN1N60C STN1NK60Z
NK2N60 600 100μA ±30V 4.7 2~5 2.7 FQP2N60 STP3NK60Z
NK3N60 600 100μA ±30V 3.6 2~5 2.7 FQP3N60 STP3NK60Z
NK4N60 600 100μA ±30V 2.2 2~5 2.7 FQP4N60 STP4NK60Z
NK5N60 600 100μA ±30V 2.5 2~5 2.7 FQPF5N60C STP4NK60Z
NK6N60 600 100μA ±30V 2 2~5 2.7 FQP6N60C STP5NK60Z
NK7N60 600 100μA ±30V 1 2~5 2.7 FQP7N60 STP8NM60
NK8N60 600 100μA ±30V 1.2 2~5 2.7 FQP8N60C STP8NM60
NK9N60 600 100μA ±30V 0.95 2~5 2.7 —— STP9NK60Z
中国南科集团能耐600V高压冲击POWER MOSFET系列产品的推出,标志着我国在高压POWER MOSFET的技术领域内已掌握核心技术,并可完全取代进口同类型产品,填补了我国同
类产品之空白,更将对我国开关电源产品内的关键零件的国产化起到一定的贡献.
广泛应用于开关电源,能耐600V以上冲击电压的功率POWER MOSFET系列产品过去全都是由国外进口,或是由外国提供芯片而在国内封装.
中国南科集团有我国华南地区唯一的6英寸芯片生产线,同时集团本身更拥有由芯片设计、芯片制造及芯片测试与封装等完整的产业链,加上本集团创办人旅美台胞吴纬国博士是台湾新竹科学园区及IC产业界的先驱,具有逾25年POWER MOSFET的研发及生产经验,在其亲自带领下,经本集团近三年的不懈努力,近已成功开发并推出一系列由0.3A(11.5欧姆)至7.0A(0.95欧姆)能耐600伏高压的功率POWER MOSFET三极管,其产品性能与美国FAIRCHILD及欧洲意法半导体同类型产品性能相同,按照功率的不同要求及是否需用贴片式组装可封装在TO-251/252及TO-220/263等四种封装型式内.
此系列产品的规格详见如下表:
型号 耐压 漏电 栅极漏电 内阻 开启电压 VSD 可替代产品
(V) (600V) (<0.1μA) (欧姆) (V) (V) FAIRCHILD 意法半导体
NK1N60 600 100μA ±30V 11.5 2~5 2 FQN1N60C STN1NK60Z
NK2N60 600 100μA ±30V 4.7 2~5 2.7 FQP2N60 STP3NK60Z
NK3N60 600 100μA ±30V 3.6 2~5 2.7 FQP3N60 STP3NK60Z
NK4N60 600 100μA ±30V 2.2 2~5 2.7 FQP4N60 STP4NK60Z
NK5N60 600 100μA ±30V 2.5 2~5 2.7 FQPF5N60C STP4NK60Z
NK6N60 600 100μA ±30V 2 2~5 2.7 FQP6N60C STP5NK60Z
NK7N60 600 100μA ±30V 1 2~5 2.7 FQP7N60 STP8NM60
NK8N60 600 100μA ±30V 1.2 2~5 2.7 FQP8N60C STP8NM60
NK9N60 600 100μA ±30V 0.95 2~5 2.7 —— STP9NK60Z
中国南科集团能耐600V高压冲击POWER MOSFET系列产品的推出,标志着我国在高压POWER MOSFET的技术领域内已掌握核心技术,并可完全取代进口同类型产品,填补了我国同
类产品之空白,更将对我国开关电源产品内的关键零件的国产化起到一定的贡献.
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@王怡文
中国南科集团应用于开关电源高反压(600V)功率POWERMOSFET系列广泛应用于开关电源,能耐600V以上冲击电压的功率POWERMOSFET系列产品过去全都是由国外进口,或是由外国提供芯片而在国内封装.中国南科集团有我国华南地区唯一的6英寸芯片生产线,同时集团本身更拥有由芯片设计、芯片制造及芯片测试与封装等完整的产业链,加上本集团创办人旅美台胞吴纬国博士是台湾新竹科学园区及IC产业界的先驱,具有逾25年POWERMOSFET的研发及生产经验,在其亲自带领下,经本集团近三年的不懈努力,近已成功开发并推出一系列由0.3A(11.5欧姆)至7.0A(0.95欧姆)能耐600伏高压的功率POWERMOSFET三极管,其产品性能与美国FAIRCHILD及欧洲意法半导体同类型产品性能相同,按照功率的不同要求及是否需用贴片式组装可封装在TO-251/252及TO-220/263等四种封装型式内.此系列产品的规格详见如下表:型号耐压漏电 栅极漏电 内阻 开启电压 VSD 可替代产品(V)(600V)(
顶,全力支持!!
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@王怡文
中国南科集团应用于开关电源高反压(600V)功率POWERMOSFET系列广泛应用于开关电源,能耐600V以上冲击电压的功率POWERMOSFET系列产品过去全都是由国外进口,或是由外国提供芯片而在国内封装.中国南科集团有我国华南地区唯一的6英寸芯片生产线,同时集团本身更拥有由芯片设计、芯片制造及芯片测试与封装等完整的产业链,加上本集团创办人旅美台胞吴纬国博士是台湾新竹科学园区及IC产业界的先驱,具有逾25年POWERMOSFET的研发及生产经验,在其亲自带领下,经本集团近三年的不懈努力,近已成功开发并推出一系列由0.3A(11.5欧姆)至7.0A(0.95欧姆)能耐600伏高压的功率POWERMOSFET三极管,其产品性能与美国FAIRCHILD及欧洲意法半导体同类型产品性能相同,按照功率的不同要求及是否需用贴片式组装可封装在TO-251/252及TO-220/263等四种封装型式内.此系列产品的规格详见如下表:型号耐压漏电 栅极漏电 内阻 开启电压 VSD 可替代产品(V)(600V)(
全力支持,
支持中国IC,中国南科同您一起努力!!
支持中国IC,中国南科同您一起努力!!
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@王怡文
中国南科集团应用于开关电源高反压(600V)功率POWERMOSFET系列广泛应用于开关电源,能耐600V以上冲击电压的功率POWERMOSFET系列产品过去全都是由国外进口,或是由外国提供芯片而在国内封装.中国南科集团有我国华南地区唯一的6英寸芯片生产线,同时集团本身更拥有由芯片设计、芯片制造及芯片测试与封装等完整的产业链,加上本集团创办人旅美台胞吴纬国博士是台湾新竹科学园区及IC产业界的先驱,具有逾25年POWERMOSFET的研发及生产经验,在其亲自带领下,经本集团近三年的不懈努力,近已成功开发并推出一系列由0.3A(11.5欧姆)至7.0A(0.95欧姆)能耐600伏高压的功率POWERMOSFET三极管,其产品性能与美国FAIRCHILD及欧洲意法半导体同类型产品性能相同,按照功率的不同要求及是否需用贴片式组装可封装在TO-251/252及TO-220/263等四种封装型式内.此系列产品的规格详见如下表:型号耐压漏电 栅极漏电 内阻 开启电压 VSD 可替代产品(V)(600V)(
支持一下国货!
不过,Rds还有待提高啊!
请问一下有能够替代COOLMOS的吗?比如47N60C3.
不过,Rds还有待提高啊!
请问一下有能够替代COOLMOS的吗?比如47N60C3.
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