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关于MOS管可以承受的VGS电压

用的FAIRCHILD的FDC658P,DATASHEET上说Vgs最大可以承受20V电压,但是加到15V,Id就开始迅速上升,同事说是Vgs太大了,MOS管控制不住流过的电流.可是我还是不太明白这个,请前辈们发表一下看法吧!!谢谢
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asm
LV.8
2
2006-09-14 18:31
一般MOS管的VGS阈值电压为2-4V,也就是说VGS在这个电压下开始导通,MOS管线性区较窄,VGS电压再高点,MOS管就完全导通了,相当于一个开关,这时ID当然(如果没有其它措施)上升很快.
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no-admin
LV.8
3
2006-09-14 22:55
通过电流大还不好啊,说明MOS内阻在减小啊!

我代理AOS系列MOS有问题可以来电话,
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asm
LV.8
4
2006-09-15 08:32
@no-admin
通过电流大还不好啊,说明MOS内阻在减小啊!我代理AOS系列MOS有问题可以来电话,
AOS系列是那家公司的产品.
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no-admin
LV.8
5
2006-09-15 08:59
@asm
AOS系列是那家公司的产品.
美国万代半导体
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power_s
LV.5
6
2006-09-15 09:23
FDC658P 是P 沟道的MOS管啊,我们使用P沟道的MOS管做开关管的时候, MOS管打开的时候(ID 很大) VGS的电压与地来说都是低电平, 最低的时候是0V.
MOS管闭合的时候(ID 没有) VGS 电压都加到与VS 相等, 即VS=19V时, VG也=19V. VGS小于等于5V左右是MOS管闭合状态.
你说的VGS 是VG 小与VS 15V吗,假如是这个状态ID 肯定是很大的.
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asm
LV.8
7
2006-09-15 10:26
@power_s
FDC658P是P沟道的MOS管啊,我们使用P沟道的MOS管做开关管的时候,MOS管打开的时候(ID很大)VGS的电压与地来说都是低电平,最低的时候是0V.MOS管闭合的时候(ID没有)VGS电压都加到与VS相等,即VS=19V时,VG也=19V.VGS小于等于5V左右是MOS管闭合状态.你说的VGS是VG小与VS15V吗,假如是这个状态ID肯定是很大的.
P沟道的MOS管不适宜做开关管,原因是导通电阻一般比N沟道要大.
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asm
LV.8
8
2006-09-15 10:28
@no-admin
美国万代半导体
孤陋寡闻,第一次听说.
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