@xkw1
RCD缓冲吸收是一简单而复杂的工程问题.我只是对部分内容做探讨,希望能抛砖引玉.不同的拓扑在开和关时的功耗是不同的,对于反激式电源,工作于理想断续模式下,零电流开通,功率关断.如果用RCD缓冲,由于在关断区CD传连并在FET上,FET可以实现零电压关断,FET开通时RCD释放C中储能.FET的关断损耗被转移到RCD的R上.开通瞬间,RCD中R的限流作用,FET的开通损耗加大,但有限.纯RC可以阻尼FET开关过程中的震荡.
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