• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

SNUBBER

请教一下,使用  RCD SNUBBER , 和 MOS 管的 DS 加RC
      各有何优缺点呢?
全部回复(5)
正序查看
倒序查看
胡庄主
LV.7
2
2004-09-17 17:46
有高手帮忙指导一下吗,我也想知道.
0
回复
5034
LV.2
3
2004-09-19 15:07
我顶
请问哪位老大,能告知

谢谢
0
回复
swanhance
LV.4
4
2004-09-20 19:18
网博高手是一个星期上一次.慢慢等吧.我也在等.
0
回复
xkw1
LV.9
5
2004-09-21 14:48
RCD缓冲吸收是一简单而复杂的工程问题.我只是对部分内容做探讨,希望能抛砖引玉.
不同的拓扑在开和关时的功耗是不同的,对于反激式电源,工作于理想断续模式下,零电流开通,功率关断.如果用RCD缓冲,由于在关断区CD传连并在FET上,FET可以实现零电压关断,FET开通时RCD释放C中储能.FET的关断损耗被转移到RCD的R上.开通瞬间,RCD中R的限流作用,FET的开通损耗加大,但有限.纯RC可以阻尼FET开关过程中的震荡.
0
回复
2004-09-21 15:39
@xkw1
RCD缓冲吸收是一简单而复杂的工程问题.我只是对部分内容做探讨,希望能抛砖引玉.不同的拓扑在开和关时的功耗是不同的,对于反激式电源,工作于理想断续模式下,零电流开通,功率关断.如果用RCD缓冲,由于在关断区CD传连并在FET上,FET可以实现零电压关断,FET开通时RCD释放C中储能.FET的关断损耗被转移到RCD的R上.开通瞬间,RCD中R的限流作用,FET的开通损耗加大,但有限.纯RC可以阻尼FET开关过程中的震荡.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1095795556.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
0
回复