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该电路除了过流保护无法实现外,其他的保护都可以实现.其中TSW1和TSW2是放电和充电温度保护用的温度开关.考虑到MOSFET的发热量,放电电流只流过封装比较大的放电MOSFET.充电时同时流过两个MOSFET.现在存在的问题是,放电电流很大的时候,放电MOSFET不关断,测试VCC和CS之间的压降,远远大于0.15V.如果去掉放电MOSFET,在其位置上面连接一个电阻,放电时,在检测到VCC与CS端压降大于0.15V时则DCHG端输出高电平.原理图中使用的AOD403内阻在7.8毫欧,更换成内阻较大的IRF7424和SI4435,都不能够实现过流保护.现在百思不得其解.希望能够得到高人指点啊!