宽电压输入电源:12V8A产品,带CASE,拓朴为传统反激式UC3843A+MOS:10N60.频率实测为60K.占空比为0.35(AC120V满载时,效率82.9%)
RCD参数分别为FR107,220K//103M/1KV,(示波器测试波形最好,峰值最小.)满载烧机时,RCD的D温度会慢慢上升,反馈绕组的D也同样有此现象,要命的是VCC的峰值竟有110V,把限流电阻都烧的发黑了,最后把它烧断,一旦这两个零件温度上升了,功耗就加大,直到产品失效.
现在已经折腾了很久了,一直没有找到有效的方法降温,(客户不允许使用风冷).请各位过客赐招.谢谢了.
温升没辙了,请大家帮忙!
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@hjjk
谢谢你的回答,反馈饶组没有接反.

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@hjjk
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你测试了你的反馈供电了吗??它有多少V?你的场管驱动电压有多少V?
是不是在驱动脚加了稳压管?
是不是在驱动脚加了稳压管?
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@gagabb
你說的VCC峰值是指此整流二極管兩端的峰值嗎?110V很正常啊.RCD的C也太大了,導致D一定很燙,FR107不能承受.R也太大了,給C的放電速度太慢.100W的反激式,漏感導致這部份的損耗不會少.VCC的限流電阻多大啊?(其實這個電阻應該不是起限流作用的)我想應該只能用幾歐姆吧,否則是會很燙啊.MOSFET的D,S極峰值電壓多高?100W的電源才用10N60,有點點小氣啊! ^-^
谢谢你的回复,RCD的参数配置是根据示波器所示结果,目前得出最好的结果来定的,VCC的限流电阻是10欧,110V的PP值是D两端的,现在的问题是,这个D位置的热量超过了RCD中D的热量,
MOS两端的电压为220V左右(AC120V输入时)
用10A的MOS管够用,温度在90几度.
MOS两端的电压为220V左右(AC120V输入时)
用10A的MOS管够用,温度在90几度.
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